1) resist coating
涂光刻胶
2) photoresist
[,fəutəuri'zist]
光刻胶
1.
Progress in the Research of Chemical Amplified Photoresist;
化学放大光刻胶高分子材料研究进展
2.
Research on thick photoresist mask electroplating process in micro-fabrication;
微加工厚光刻胶掩膜电镀工艺研究
3.
Key technique of photoresist through-mask Electrochemical micromachining;
光刻胶掩膜微细电化学加工参数的试验研究
3) 193 nm photoresist
193nm光刻胶
1.
2-methyl adamantine-2-yl methacrylate and 2-ethyl adamantine-2-yl methacrylate are two important monomers of matrix polymer for 193 nm photoresist.
甲基丙烯酸(2-甲基-2-金刚烷)酯和甲基丙烯酸(2-乙基-2-金刚烷)酯是两个重要的193nm光刻胶主体树脂的单体。
4) 248 nm photoresists
248nm光刻胶
5) photo resist
光刻胶
1.
The resolution of the BP-218 UV photo resist,which is produced in Beijing Institute of Chemical Reagents,was tested by these methods and a satisfactory result was got.
文章提出了三种微光学元件光刻对焦方法,并用它们对北京化学试剂研究所生产的BP-218紫外正型光刻胶的分辨率进行了测试,得到了满意的结果。
6) negative-working photoresist
负胶光刻
补充资料:光刻胶
又称光致抗蚀剂,由感光树脂、增感剂(见光谱增感染料)和溶剂三种主要成分组成的对光敏感的混合液体。感光树脂经光照后,在曝光区能很快地发生光固化反应,使得这种材料的物理性能,特别是溶解性、亲合性等发生明显变化。经适当的溶剂处理,溶去可溶性部分,得到所需图像(见图)。光刻胶广泛用于印刷电路和集成电路的制造以及印刷制版等过程。光刻胶的技术复杂,品种较多。根据其化学反应机理和显影原理,可分负性胶和正性胶两类。光照后形成不可溶物质的是负性胶;反之,对某些溶剂是不可溶的,经光照后变成可溶物质的即为正性胶。利用这种性能,将光刻胶作涂层,就能在硅片表面刻蚀所需的电路图形。基于感光树脂的化学结构,光刻胶可以分为三种类型。①光聚合型,采用烯类单体,在光作用下生成自由基,自由基再进一步引发单体聚合,最后生成聚合物,具有形成正像的特点。②光分解型,采用含有叠氮醌类化合物的材料,经光照后,会发生光分解反应,由油溶性变为水溶性,可以制成正性胶。③光交联型,采用聚乙烯醇月桂酸酯等作为光敏材料,在光的作用下,其分子中的双键被打开,并使链与链之间发生交联,形成一种不溶性的网状结构,而起到抗蚀作用,这是一种典型的负性光刻胶。柯达公司的产品KPR胶即属此类。
感光树脂在用近紫外光辐照成像时,光的波长会限制分辨率(见感光材料)的提高。为进一步提高分辨率以满足超大规模集成电路工艺的要求,必须采用波长更短的辐射作为光源。由此产生电子束、X 射线和深紫外(<250nm)刻蚀技术和相应的电子束刻蚀胶,X射线刻蚀胶和深紫外线刻蚀胶,所刻蚀的线条可细至1μm以下。
感光树脂在用近紫外光辐照成像时,光的波长会限制分辨率(见感光材料)的提高。为进一步提高分辨率以满足超大规模集成电路工艺的要求,必须采用波长更短的辐射作为光源。由此产生电子束、X 射线和深紫外(<250nm)刻蚀技术和相应的电子束刻蚀胶,X射线刻蚀胶和深紫外线刻蚀胶,所刻蚀的线条可细至1μm以下。
说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。
参考词条