1) SU-8 photoresist
SU-8光刻胶
1.
Three-dimension photonic crystals fabrication using SU-8 photoresist;
SU-8光刻胶制作三维光子晶体
2.
Effect of post exposure bake temperature on thermal swelling of SU-8 photoresist;
后烘温度对SU-8光刻胶热溶胀性及内应力的影响
3.
By the method,the nickel micro-electroforming pattern was directly made on a metal substrate by a low-cost UV-LIGA surface micro-fabrication process using the negative thick SU-8 photoresist to form the microinjection mold.
介绍了一种新颖的微注塑模具的制作方法———无背板生长法,它是利用负性厚SU-8光刻胶,通过低成本的UV-LIGA表面微加工工艺,直接在金属基板上电铸镍图形而制作完成的。
2) SU-8 series resist
SU-8系列光刻胶
3) SU-8 lithography Optimizing
SU-8光刻工艺优化
4) SU-8 photoresist
SU-8胶
1.
Study on dimensional precision of UV-lithography on SU-8 photoresist;
SU-8胶紫外光刻的尺寸精度研究
2.
With the application of neural network,process parameters of negative SU-8 photoresist were optimized in terms of internal stress.
根据基片曲率法的原理,通过三因素三水平的正交实验,测量了9组不同工艺条件下SU-8胶层内应力的大小。
3.
Thermal swelling of SU-8 photoresist and its mechanism were investigated.
对SU-8胶的热溶胀效应及其机理进行了研究,在现有微模具的UV-LIGA工艺的基础上,利用AN-SYS对SU-8胶的热溶胀性规律进行了仿真分析。
5) SU-8 resist
SU-8胶
1.
The development process of the high resolute and high aspect ratio microstructure with SU-8 resist on the metal substrate was discussed, and the development rule of resist with different graphic feature and thicknesses from 120-340 μm was analysed.
突破了传统深宽比概念,提出金属基底上基于图形特征的光刻胶显影技术,对采用SU-8胶加工高分辨率和高深宽比微结构的显影工艺进行了讨论,分析了120～340μm厚具有不同图形特征的SU-8胶显影规律,认为在同样条件下,凸型图形显影效果优于凹型非连通性图形;曲线型显影效果优于直线型图形与点状图形;圆弧连接的图形显影效果优于尖角型图形。
2.
In this paper,UV-LIGA technology was investigated to fabricate the ultra-high micro electrode array,and the micro electrochemical machining was used as an aided method to remove the SU-8 resist.
采用UV-LIGA技术制作超高金属微细阵列电极,并利用电解置桩的方法辅助去除SU-8胶。
6) SU-8 removal
SU-8去胶
补充资料：光刻胶
又称光致抗蚀剂，由感光树脂、增感剂（见光谱增感染料）和溶剂三种主要成分组成的对光敏感的混合液体。感光树脂经光照后，在曝光区能很快地发生光固化反应，使得这种材料的物理性能，特别是溶解性、亲合性等发生明显变化。经适当的溶剂处理，溶去可溶性部分，得到所需图像（见图）。光刻胶广泛用于印刷电路和集成电路的制造以及印刷制版等过程。光刻胶的技术复杂，品种较多。根据其化学反应机理和显影原理，可分负性胶和正性胶两类。光照后形成不可溶物质的是负性胶；反之，对某些溶剂是不可溶的，经光照后变成可溶物质的即为正性胶。利用这种性能，将光刻胶作涂层，就能在硅片表面刻蚀所需的电路图形。基于感光树脂的化学结构，光刻胶可以分为三种类型。①光聚合型，采用烯类单体，在光作用下生成自由基，自由基再进一步引发单体聚合，最后生成聚合物，具有形成正像的特点。②光分解型，采用含有叠氮醌类化合物的材料，经光照后,会发生光分解反应,由油溶性变为水溶性，可以制成正性胶。③光交联型，采用聚乙烯醇月桂酸酯等作为光敏材料,在光的作用下,其分子中的双键被打开，并使链与链之间发生交联，形成一种不溶性的网状结构，而起到抗蚀作用，这是一种典型的负性光刻胶。柯达公司的产品KPR胶即属此类。
感光树脂在用近紫外光辐照成像时，光的波长会限制分辨率（见感光材料）的提高。为进一步提高分辨率以满足超大规模集成电路工艺的要求，必须采用波长更短的辐射作为光源。由此产生电子束、X 射线和深紫外(＜250nm)刻蚀技术和相应的电子束刻蚀胶，X射线刻蚀胶和深紫外线刻蚀胶，所刻蚀的线条可细至1μm以下。
感光树脂在用近紫外光辐照成像时，光的波长会限制分辨率（见感光材料）的提高。为进一步提高分辨率以满足超大规模集成电路工艺的要求，必须采用波长更短的辐射作为光源。由此产生电子束、X 射线和深紫外(＜250nm)刻蚀技术和相应的电子束刻蚀胶，X射线刻蚀胶和深紫外线刻蚀胶，所刻蚀的线条可细至1μm以下。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条