1) indium phosphate
磷酸铟
2) Indium phosphite
亚磷酸铟
3) fluorinated indiumphosphate
氟化磷酸铟
4) Indium phosphide
磷化铟
1.
A wet etching process for backside via holes suitable for use on InP MMICs technologies is developed for indium phosphide substrate.
采用湿法技术发展了磷化铟 MMIC的背面通孔刻蚀工艺 ,PMMA用作粘片剂 ,In P衬底粘附于玻璃版上 ,溅射钽膜用作湿法刻蚀掩膜 ,HCl+H3PO4 腐蚀液实现 10 0 μm的通孔腐蚀 。
5) InP
磷化铟
1.
Research of breakdown characteristic of InP composite channel HEMT;
磷化铟复合沟道高电子迁移率晶体管击穿特性研究
2.
Ohmic Contact for InP-Based HEMTs;
磷化铟基高电子迁移率晶体管欧姆接触工艺
3.
A new small signal physical model of InP-based composite channel high electron mobility transistor;
一种新的磷化铟复合沟道高电子迁移率晶体管小信号物理模型
6) GaInP
镓铟磷
补充资料：磷酸铟
分子式： InPO4·2H2O
CAS号：
性质：灰黑色结晶体。四方品系结构，品格常数1.036nm。密度3.91/cm3。熔点1600℃。350℃时失去结晶水，生成焦磷酸铟，但在640℃时又变为无定形磷酸铟，1800℃分解，难溶于水。易和碱金属生成复盐。在pH值1.7～3.2的溶液中，由氢氧化铟和磷酸作用制取。为特种玻璃添加剂。
CAS号：
性质：灰黑色结晶体。四方品系结构，品格常数1.036nm。密度3.91/cm3。熔点1600℃。350℃时失去结晶水，生成焦磷酸铟，但在640℃时又变为无定形磷酸铟，1800℃分解，难溶于水。易和碱金属生成复盐。在pH值1.7～3.2的溶液中，由氢氧化铟和磷酸作用制取。为特种玻璃添加剂。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条