1) InP/Si
磷化铟/硅
2) indium phosphide-silica
磷化铟二氧化硅
3) Indium phosphide
磷化铟
1.
A wet etching process for backside via holes suitable for use on InP MMICs technologies is developed for indium phosphide substrate.
采用湿法技术发展了磷化铟 MMIC的背面通孔刻蚀工艺 ,PMMA用作粘片剂 ,In P衬底粘附于玻璃版上 ,溅射钽膜用作湿法刻蚀掩膜 ,HCl+H3PO4 腐蚀液实现 10 0 μm的通孔腐蚀 。
4) InP
磷化铟
1.
Research of breakdown characteristic of InP composite channel HEMT;
磷化铟复合沟道高电子迁移率晶体管击穿特性研究
2.
Ohmic Contact for InP-Based HEMTs;
磷化铟基高电子迁移率晶体管欧姆接触工艺
3.
A new small signal physical model of InP-based composite channel high electron mobility transistor;
一种新的磷化铟复合沟道高电子迁移率晶体管小信号物理模型
5) InP-based
磷化铟基
6) InGaAs/InP
铟镓砷/磷化铟
补充资料：二氯二甲基硅烷与二氯二苯基硅烷、三氯甲基硅烷、三氯苯基硅烷和三氯苯基硅烷的聚合物
CAS：28630-33-3
分子式：(C12H10Cl2Si·C6H5Cl3Si·C2H6Cl2Si·CH3Cl3Si)x
中文名称：二氯二甲基硅烷与二氯二苯基硅烷、三氯甲基硅烷、三氯苯基硅烷和三氯苯基硅烷的聚合物
英文名称：Silane, dichlorodimethyl-, polymer with dichlorodiphenylsilane, trichloromethylsilane and trichlorophenylsilane silane, dichlorodimethyl-, polymer with dichlorodiphenylsilane, trichloromethyl
分子式：(C12H10Cl2Si·C6H5Cl3Si·C2H6Cl2Si·CH3Cl3Si)x
中文名称：二氯二甲基硅烷与二氯二苯基硅烷、三氯甲基硅烷、三氯苯基硅烷和三氯苯基硅烷的聚合物
英文名称：Silane, dichlorodimethyl-, polymer with dichlorodiphenylsilane, trichloromethylsilane and trichlorophenylsilane silane, dichlorodimethyl-, polymer with dichlorodiphenylsilane, trichloromethyl
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条