补充资料：磷锑化镓铟

分子式：In_xGa_1-xSb_yP_1-y，  0≤x≤1  0≤y≤1 
CAS号：

性质：周期表Ⅲ、V族元素化物半导体。立方晶系闪锌矿型结构。存在间接带隙半导体区。可在锑化镓、砷化铟衬底上用液相外延等方法制备。用于制作2μm波长附近的红外发光器件和激光器。

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