2) indium gallium phosphide single crystal
磷化镓铟单晶
3) indium gallium arsenic phosphide single crystal
磷砷化镓铟单晶
4) indium arsenic phosphide single crystal
磷砷化铟单晶
5) single crystalline InP nanopore array
单晶磷化铟纳米孔阵列
6) indium nitride single crystal
氮化铟单晶
补充资料：磷化铟
分子式： InP
CAS号：
性质：沥青光泽的深灰色晶体。熔点1070℃。熔点下离解压为2.75MPa。极微溶于无机酸。介电常数10.8。电子迁移率4600cm2/(V·s)。空穴迁移率150cm2/(V·s)。具有半导体的特性。由金属铟和赤磷在石英管中加热反应制得。用作半导体材料，用于光纤通信技术。
CAS号：
性质：沥青光泽的深灰色晶体。熔点1070℃。熔点下离解压为2.75MPa。极微溶于无机酸。介电常数10.8。电子迁移率4600cm2/(V·s)。空穴迁移率150cm2/(V·s)。具有半导体的特性。由金属铟和赤磷在石英管中加热反应制得。用作半导体材料，用于光纤通信技术。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条