1) InP-based
磷化铟基
2) InP-based materials
磷化铟基材料
3) Indium phosphide
磷化铟
1.
A wet etching process for backside via holes suitable for use on InP MMICs technologies is developed for indium phosphide substrate.
采用湿法技术发展了磷化铟 MMIC的背面通孔刻蚀工艺 ,PMMA用作粘片剂 ,In P衬底粘附于玻璃版上 ,溅射钽膜用作湿法刻蚀掩膜 ,HCl+H3PO4 腐蚀液实现 10 0 μm的通孔腐蚀 。
4) InP
磷化铟
1.
Research of breakdown characteristic of InP composite channel HEMT;
磷化铟复合沟道高电子迁移率晶体管击穿特性研究
2.
Ohmic Contact for InP-Based HEMTs;
磷化铟基高电子迁移率晶体管欧姆接触工艺
3.
A new small signal physical model of InP-based composite channel high electron mobility transistor;
一种新的磷化铟复合沟道高电子迁移率晶体管小信号物理模型
5) InP/Si
磷化铟/硅
6) InGaAs/InP
铟镓砷/磷化铟
补充资料：2-甲氧基碳酸基乙基胺基乙基胺基丙基三甲氧基硅烷
CAS: 1067-66-9
分子式: C12H28N2O5Si
分子量: 308.45
中文名称: 2-甲氧基碳酸基乙基胺基乙基胺基丙基三甲氧基硅烷
英文名称: [N'-(2-Methoxycarbonylethyl)aminoethylaminopropyl]trimethoxysilane
10-diaza-3-silatridecan-13-oic acid, 3,3-dimethoxy-2-oxa- methyl ester
n-(2-((3-(trimethoxysilyl)propyl)amino)ethyl)-beta-alanin methyl ester
methyl 3,3-dimethoxy-2-oxa-7,10-diaza-3-silatridecan-13-oate
methyl[2-(3-trimethoxysilylpropylamino)-ethylamino
分子式: C12H28N2O5Si
分子量: 308.45
中文名称: 2-甲氧基碳酸基乙基胺基乙基胺基丙基三甲氧基硅烷
英文名称: [N'-(2-Methoxycarbonylethyl)aminoethylaminopropyl]trimethoxysilane
10-diaza-3-silatridecan-13-oic acid, 3,3-dimethoxy-2-oxa- methyl ester
n-(2-((3-(trimethoxysilyl)propyl)amino)ethyl)-beta-alanin methyl ester
methyl 3,3-dimethoxy-2-oxa-7,10-diaza-3-silatridecan-13-oate
methyl[2-(3-trimethoxysilylpropylamino)-ethylamino
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条