1) InGaAs/InP
铟镓砷/磷化铟
2) GaInP/GaAs/Ge
镓铟磷/砷化镓/锗
3) InGaP/GaAs
铟镓磷/砷化镓
4) AlGaInP/GaAs
铝镓铟磷/砷化镓
5) gallium indium arsenide phosphide GaInAsP
镓铟磷砷
6) GaInP/GaAs
镓铟磷/镓砷
补充资料：磷砷化镓铟单晶
分子式：InxGa1-xAsyP1-y；0≤x≤1，0≤y≤1
CAS号：
性质：周期表第Ⅲ，V族元素化合物半导体。立方晶系闪锌矿型结构。为间接带隙半导体，室温电子迁移率0.77m2/(V·s)，空穴迁移率1.5×10-2m2/(V·s)。可在磷化铟衬底上采用气相外延、液相外延、分子束外延等方法制备。用于制作激光器、光探测器和场效应晶体管。
CAS号：
性质：周期表第Ⅲ，V族元素化合物半导体。立方晶系闪锌矿型结构。为间接带隙半导体，室温电子迁移率0.77m2/(V·s)，空穴迁移率1.5×10-2m2/(V·s)。可在磷化铟衬底上采用气相外延、液相外延、分子束外延等方法制备。用于制作激光器、光探测器和场效应晶体管。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条