1) separation by implantation of oxygen SOI waferSIMOX
SOI 晶圆
2) SOI wafer
SOI晶圆
1.
The quality of SOI wafer mainly depends on the structure of Top-Si as well as BOX(Buried Oxide).
SOI晶圆材料正在成为制备IC芯片的主要原材料。
3) bonding silicon on insulator wafer
矽绝缘体(SOI) 接合晶圆
4) SOI
SOI
1.
Study of the Single-Event Effect of SOI NMOSFET by 3-D Simulation;
SOI NMOSFET单粒子效应的3-D模拟
2.
The Design of Three-Axis Accelerometer Based on SOI;
基于SOI的三轴压阻微加速度计的设计
3.
Simulation experiment of tolerance of irradiation about domestic SOI 1750A microprocessor;
国产SOI 1750A微处理器抗辐射效应模拟试验
5) Silicon on insulator
SOI
1.
An ultracompact 3 dB coupler is designed and fabricated in silicon on insulator,based on 1×2 line tapered multimode interference (MMI) coupler.
采用线锥形结构 ,在 silicon- on- insulator(SOI)材料上设计并实现了一种新的紧缩型 3- d B多模干涉耦合器(MMI) 。
2.
A 4×4 area modulation silicon on insulator (SOI) multimode interference coupler optical switch, composed of four cascaded 2×2 area modulation optical switches, has been designed.
根据区域调制多模干涉耦合器光开关的工作原理 ,以 2× 2区域调制多模干涉光开关为基础 ,采用级联的方式设计了 4× 4区域调制多模干涉SOI光波导开关。
3.
Silicon on insulator(SOI) structure, as a very large scale integrated circuit(VLSI) wafer, has attractive features such as radiationhardening, no parasitic capacitance and latchup effect.
绝缘体上生长的薄单晶硅膜 (SOI)具有良好的横向绝缘、抗辐照、无锁存效应和无寄生电容 ,并能有效地提高硅集成电路的速度和集成度 ,在深亚微米 VL SI技术中 ,具有很大的优势和潜力。
6) wafer
晶圆
1.
Evolution of Wafer-Surface Preparation for Semiconductor Industry;
半导体产业中晶圆片表面处理的发展
2.
The structural design of the wafer expansion device was put forward.
该装置可完成片盒、内圈和外圈的输入和取片动作,实现扩晶过程张紧力的调节控制、分离晶圆和衬架、排出空片盒和废弃的衬架等。
3.
We present a FEM method for forecasting the suitable pressure on the retaining ring,which is critical in manufacturing good quality wafers.
随着晶圆直径的增加,在CMP加工过程中,晶圆边缘容易出现"过磨(over-grinding)"现象,降低了平坦度和晶圆利用率。
7) Wafer bumping
晶圆凸起
8) 300mm wafer line
300mm晶圆线
9) wafer fabrication
晶圆加工
1.
According to the characteristics,the modeling problem using Petri net for cluster tools in wafer fabrication was studied.
晶圆加工过程中使用的模块化组合设备具有可重构性,设备配置的复杂程度由晶圆加工工艺方案决定,针对这一特点,研究了晶圆加工系统的Petri网建模问题。
10) (111)silicon
（111）硅晶圆
补充资料：解决暗场成像技术延伸晶圆检测
大多数暗场检测系统的核心是声光偏转器（AOD）。当高频信号作用于它时，AOD展现某些特性，它可折射出激光束。如果此激光束折射地很快，结果就相当于在晶圆上画一激光扫描线。正是这条线可确定每次通过晶圆的检测高度，这和产量直接相关。
传统的暗场结构很简单：主要是基于照明斑点和光电倍增管（PMT）传感器。
如今，大多数传统的暗场检测系统可达到100M像素/秒。理论上，可达到300M像素/秒。但是，在暗场中，晶圆结构的散射可从一个像素中几个光子到下个像素中变成数百万个光子，当取样时间减少到>3 nsec时，使支持高动态范围（>12比特）和单输出数字化系统的电子电路的研发变得越来越难。扩展激光光斑扫描的另一障碍是为提高检测灵敏度而减少光斑尺寸时，功率密度就增加了，也就增加了先进晶圆材料受损伤的危险性。另外，光斑扫描结构不能依比例缩小分辨率并同时保持光的傅立叶滤光。这点很重要，因为对先进SRAM和DRAM阵列，傅立叶滤光可使激光器光斑扫描系统的灵敏度增加10倍。
KLA-Tencor公司研发了一种解决方案，避开了这些基本限制，即把难题从前端照明处转移到集光端。这简化了采用光学透镜沿晶圆跟踪线的要求。其新的Puma 9000平台采用了专利结构，可在晶圆上形成一条长线并进行检测，同时，经过多个集光通道可产生双暗场平面。KLA-Tencor设计了一种新的线性传感器和结构，称之为“Streak”技术，它可使传统的暗场极限分别得到解决，能提供>500M像素/秒，以及≤65 nm的线监测能力。对精密的运算规则有足够的计算能力，可从多个通道分析数据。同时，不会延长扫描时间和牺牲产量。
以前，通常采用的是激光光斑和PMT，但PMT是一种光探测器，它并不意味着更高的分辨率。分辨率由照明光斑的尺寸决定。平台能控制照明光斑的尺寸，而且因它有一个与像素有关的传感器，在集光通道中也存在分辨率。成像技术结合照明线允许系统傅立叶滤波任何先进的阵列结构，得到10倍灵敏度的增加，同时增加了照明线上和成像集热器的分辨率。具有双暗场结构的照明和集光器的结合可在获得传统的暗场晶圆产量的前提下得到最好的缺陷灵敏度。
典型的应用是在氮化硅剥离后在像STI CMP这样的薄层上的空洞探测。空洞的大小可在200nm到20nm范围内。Puma对>50 nm的空洞的产量已达>10 wph，这对传统的暗场系统是做不到的。另一个例子是对在90nm到70nm设计规则下，某些遗漏的接触孔甚至部分被刻蚀的接触孔的探测，由于和接触层有关的噪声，至今为止，这方面的探测也成了检测系统面临的主要挑战。
由于平台不再受AOD要求的限制，它可望将延伸好几代。
传统的暗场结构很简单：主要是基于照明斑点和光电倍增管（PMT）传感器。
如今，大多数传统的暗场检测系统可达到100M像素/秒。理论上，可达到300M像素/秒。但是，在暗场中，晶圆结构的散射可从一个像素中几个光子到下个像素中变成数百万个光子，当取样时间减少到>3 nsec时，使支持高动态范围（>12比特）和单输出数字化系统的电子电路的研发变得越来越难。扩展激光光斑扫描的另一障碍是为提高检测灵敏度而减少光斑尺寸时，功率密度就增加了，也就增加了先进晶圆材料受损伤的危险性。另外，光斑扫描结构不能依比例缩小分辨率并同时保持光的傅立叶滤光。这点很重要，因为对先进SRAM和DRAM阵列，傅立叶滤光可使激光器光斑扫描系统的灵敏度增加10倍。
KLA-Tencor公司研发了一种解决方案，避开了这些基本限制，即把难题从前端照明处转移到集光端。这简化了采用光学透镜沿晶圆跟踪线的要求。其新的Puma 9000平台采用了专利结构，可在晶圆上形成一条长线并进行检测，同时，经过多个集光通道可产生双暗场平面。KLA-Tencor设计了一种新的线性传感器和结构，称之为“Streak”技术，它可使传统的暗场极限分别得到解决，能提供>500M像素/秒，以及≤65 nm的线监测能力。对精密的运算规则有足够的计算能力，可从多个通道分析数据。同时，不会延长扫描时间和牺牲产量。
以前，通常采用的是激光光斑和PMT，但PMT是一种光探测器，它并不意味着更高的分辨率。分辨率由照明光斑的尺寸决定。平台能控制照明光斑的尺寸，而且因它有一个与像素有关的传感器，在集光通道中也存在分辨率。成像技术结合照明线允许系统傅立叶滤波任何先进的阵列结构，得到10倍灵敏度的增加，同时增加了照明线上和成像集热器的分辨率。具有双暗场结构的照明和集光器的结合可在获得传统的暗场晶圆产量的前提下得到最好的缺陷灵敏度。
典型的应用是在氮化硅剥离后在像STI CMP这样的薄层上的空洞探测。空洞的大小可在200nm到20nm范围内。Puma对>50 nm的空洞的产量已达>10 wph，这对传统的暗场系统是做不到的。另一个例子是对在90nm到70nm设计规则下，某些遗漏的接触孔甚至部分被刻蚀的接触孔的探测，由于和接触层有关的噪声，至今为止，这方面的探测也成了检测系统面临的主要挑战。
由于平台不再受AOD要求的限制，它可望将延伸好几代。
| 作者：Alexander E. Braun，Semiconductor International高级编辑 |
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参考词条