2) liquid crystal
液晶材料
1.
This paper presents an improved process for the preparation of the novel liquid crystal 5-propyl2-(3,5-difluorophenyl)pyrimidine.
对新型的液晶材料5-正丙基-2-(3,5-二氟苯基)嘧啶的合成路线进行了改进。
2.
By using Nd∶YAG mode locked pulse laser (λ=532 nm, τ 0=35 ps), the third order nonlinear optical susceptibility χ (3) , and time response properties of liquid crystals containing Schiff base and Naphthalimide are measured with forward degenerate four wave mixing (DFWM).
采用波长λ =5 32nm和脉宽τ0 =35 ps的Nd∶YAG锁模脉冲激光 ,运用双光束前向简并四波混频(DFWM )的方法 ,测量了两种萘二甲酰亚氨基席夫碱类液晶材料的三阶非线性效应 ,测得其离共振三阶非线性系数 χ(3 ) 及响应时间 ,计算了它们的超极化率γ(3 ) 和非线性折射率n2 ,同时探讨了它们的非线性形成机制。
3.
A new method for the determination of cations on the organic molecule in the liquid crystal materials by ultraviolet(UV) photolysis ion chromatography was developed.
采用紫外光降解 离子色谱法测定了液晶材料中的阳离子。
3) liquid crystal material
液晶材料
1.
Progress of liquid crystal materials for VA-TFT;
VA-TFT用负介电各向异性液晶材料研究进展
2.
The developing of photorefractive liquid crystal material;
光折变液晶材料的研究进展
3.
Relationships of LCD TV among response time,operating voltage and liquid crystal materials parameters are introduced under three modes including vertical alignment(VA)mode,in plane switching(IPS)mode and twisted nematic(TN)mode.
介绍LCDTV在垂直阵列(VA)、共面开关(IPS)和扭曲向列相(TN)等三种模式下,其工作电压和响应时间与液晶材料介电各向异性等主要参数的关系。
4) polycrystalline materials
多晶材料
1.
Based on the principle of contrasting referring to Ag_ 2 Se-Ga_ 2 Se_ 3 pseudobinary phase diagram, AgGa_ 1-x In_ x Se_ 2 polycrystalline materials with a portion of In content were synthesized by mechanical and temperature oscillation method.
根据Ag2Se-Ga2Se3赝二元相图,对AgGa1-xInxSe2按同成分点配料,通过机械和温度振荡的方法合成出AgGa1-xInxSe2多晶材料。
2.
The main research methods,test results,influencing factors and the micro-mechanism of two types of scale effects,namely,"smaller is stronger" and "the smaller the more weak",occurred in micro-components of polycrystalline materials are particularly summarized.
结论是:微构件内、外尺寸的耦合关联影响控制了尺度效应和与其相对应的材料内在特征长度,今后如能进一步探明微构件外形结构尺寸、晶粒尺寸和材料内在特征长度与其性能异变之间的制约关系,基于晶体学和高阶理论建立较全面、系统的力学分析模型,将有可能揭示微构件多晶材料内在特征长度的微结构控制的机理,进而实现通过调控材料的微结构控制微构件的宏观力学性能。
3.
A new approach for investigation on the in-plane displacement on a grain scale for polycrystalline materials is proposed in this paper based on coupling digital image correlation method and a new type of microscope-digital microscope.
结合数字散斑相关方法和一种新型的显微镜数码显微镜,提出了一种测量多晶材料晶粒尺度面内变形的新方法,并通过零变形校准实验、重聚焦实验和平移实验等一系列验证实验分析了该方法的精度和实用性。
5) amorphous material
非晶材料
1.
One of the main trends towards the exploitation of sensing materials is to develop the single crystal materials into polycrystalline materials and amorphous materials.
对敏感功能材料研究开发所呈现的主要趋势之一就是从单晶材料向多晶材料和非晶材料方向过渡发展。
6) crystal material
晶体材料
1.
Orientated polycrystal, quasi-single crystal or single-crystal materials can be easily distinguished, and the crystal quality of quasi-single and orientated crystal materials in proc.
通过这种方法可直观地区分取向多晶、准单晶或者单晶体,评定研制过程中准单晶和择优取向材料的晶体品质;确定单晶、准单晶及择优取向等材料的晶面相对宏观端面的晶向偏离角和取向分散度;还可对单晶体材料进行三维晶面定向。
补充资料：磁性材料3．非晶态磁性材料
磁性材料3．非晶态磁性材料
Magnetie Materials 3.AmorPhous
值[20〕。一般回火温度T.与非晶态合金的晶化温度Tct和玻璃化温度几有密切关系。一般说，各类非晶态合金的Ts和叭，之间的差别不大，而热处理温度多在T:或叭r下50~100℃处，时间在30一120~之间。 表‘硅桐片和非.态合金的磁损耗参数l取向硅钢IF一B13一513一eZ率为例，在Bm二0.IT(l .kGs)和f~50kHz时磁化的非晶态合金的井值的时效如图8所示。可以看到，温度高，产下降快，一般是不可逆的。使用温度不太高(例如100℃)时，材料的性能不易变坏，图9给出了两种c。基非晶态合金的八可群与使用时间的关系。当几~80℃时，经历1a的八可群约20%。总的说来，不少非晶态合金在100℃使用温度下可用5~10a。打500 105375片厚，mm电阻率，阁·cm总损Pt，mw/kg磁滞损耗八，mw/kg涡流很耗p.，m、v/比(P.+凡)/Pt0.280 .025 1250。96 98 73 120。872.5.5.时效2040汀一一 .找\岌勺┌─────────────┐│-一一‘啥二‘月卜二‘”’ │├─────────────┤│二，材，分于不 │└─────────────┘图9两种c。基非晶态合金在不同频率下的时效 I一co--M。耳zr合金;1一co一Fe一Si一B合金3.制备方法O州义岌10 102 103 10 时间，s图8两种非晶态合金的产值与时间的关系I一Fe7寻Ni刁MosB17S诬2;l一Co67.SFe刁.SNi3MoZBI‘5112a一200℃时;b一150℃时 非晶态合金在使用时，由于环境温度、时间的延续等，使其性能有不同程度的变化，称之为时效。以磁导3.L薄带 任何金属及其合金在液态时，其原子配位是拓扑无序或短程序的。在冷却过程中，如能维持其高温时的原子分布状态，并使之固化，就得到非晶态固体。要做到这一点，只有在极快的冷却速率下，使熔质由熔点T，以上冷却到玻璃化温度，:以下。这个速率不是固定的，它和生成的非晶态固体的性质、成分和尺寸有很大关系。对于非晶态合金薄带，冷速要在105一1少K/s范围，对于纯金属要高达1 ol0K/s以上，并在远低于室温下才能保存。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条