补充资料：砷化铝镓单晶

分子式：Ga_xAl_1-xAs  0≤x≤1
CAS号：

性质：周期表第III、V族元素化合物半导体。为三元固溶体共价键结构，有一定离子键成分。闪锌矿型结构。为间接带隙半导体，禁带宽度2.13～1.428eV。可在砷化镓衬底上用外延法制备。制作近红外发光器和激光器件材料和冷阴极发射材料。

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