1) AgGaS2 single crystal
硫镓银单晶体
3) silver gallium disulphide crystal
二硫化镓银晶体
4) silver selenogallate Single crystal
硒镓银单晶体
5) silver selenogallate crystal
硒镓银晶体
6) AgGa_(1-x)In_xSe_2 crystal
硒铟镓银晶体
补充资料：磷化铝镓单晶
分子式：Ga1-xAlxP；0≤x≤1
CAS号：
性质：共价键结合，有一定的离子键成分。立方晶系闪锌矿型结构。为间接带隙半导体，禁带宽度随z变化在2.26～2.45eV范围。采用外延方法制备。是制作半导体可见光发光器件的材料。
CAS号：
性质：共价键结合，有一定的离子键成分。立方晶系闪锌矿型结构。为间接带隙半导体，禁带宽度随z变化在2.26～2.45eV范围。采用外延方法制备。是制作半导体可见光发光器件的材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条