1) ultraviolet lithography
紫外线光刻
2) deep uv lithography
远紫外线光刻
3) UV-lithography
紫外光刻
1.
CaF2 crystal with broad wavelength range and high transmittance has become the focus of the semiconductor industry with the development of UV-lithography.
随着深紫外光刻技术的发展,透光范围宽、透过率高的CaF_2晶体成了人们关注的焦点,其尺寸和质量得到了不断的提高。
2.
A UV-exposure model and a dimensional tolerance model based on Fresnel diffraction theory are established by considering the impact of the refractive index and absorption coefficient of SU-8 photoresist on dimensional precision of UV-lithography.
在考虑了SU-8的吸收系数和折射系数对紫外光刻尺寸精度影响的基础上,根据菲涅耳衍射理论建立了紫外曝光改进模型和尺寸公差模型,对SU-8微结构的尺寸及其公差进行数值模拟。
3.
The deep UV-lithography is one of the main processing technique of high aspect ratio microstructure fabrication.
UV-LIGA技术是制作大高宽比微电子机械(MEMS)的方法之一,而UV-LIGA技术的关键工艺之一为深度紫外光刻。
4) UV lithography
紫外光刻
1.
The pattern transfer accuracy of deep UV lithography is investigated.
由于紫外光衍射效应比较大 ,通过紫外光刻获得高精度的大高度微结构并不容易。
2.
To study the relationship between the shape errors of photo-resist model based on UV lithography and processing parameters,the orthogonal experimentation was employed to design and organize the experiment for positive photo-resist AZ9260.
为研究基于紫外光刻加工技术的光刻胶模型形状误差与工艺参数的关系,利用正交实验法对正性光刻胶AZ9260进行了实验研究。
5) Extreme ultraviolet lithography (EUVL)
极紫外线投影光刻
6) extreme ultraviolet lithography
极端远紫外线光刻
补充资料：紫外光刻胶
分子式：
CAS号：
性质：用紫外光作曝光光源的光刻胶。一般是指分光感度波长为300～450nm的近紫外抗蚀剂。紫外光刻胶有负性、正性和正-负性两用三类。负性的代表品种是聚乙烯醇肉桂酸酯、环化橡胶系抗蚀剂，正性代表品种是重氮萘醌系抗蚀剂，正负性抗蚀剂是为了兼顾其既有正性又有负性的性能，往往会给全面照顾抗蚀剂应用上带来一些难题，目前尚未商品化。
CAS号：
性质：用紫外光作曝光光源的光刻胶。一般是指分光感度波长为300～450nm的近紫外抗蚀剂。紫外光刻胶有负性、正性和正-负性两用三类。负性的代表品种是聚乙烯醇肉桂酸酯、环化橡胶系抗蚀剂，正性代表品种是重氮萘醌系抗蚀剂，正负性抗蚀剂是为了兼顾其既有正性又有负性的性能，往往会给全面照顾抗蚀剂应用上带来一些难题，目前尚未商品化。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条