1) chromium silicide crystal
硅化铬晶体
2) magnesium silicide crystal
硅化镁晶体
3) Cr-doped magnesium silicate laser crystal
掺铬硅酸镁激光晶体
5) Cr￣(3+)-doped crystal
掺铬晶体
6) cadmium silicon diarsenide crystal
二砷化硅镉晶体
补充资料：硅化铬晶体
分子式： CrSi2
CAS号：
性质：周期表第Ⅳ、Ⅵ族元素化合物半导体。六角晶系，密度4.4g/cm3，禁带宽度0.35eV，电阻率10-5Ω·m。熔点1550～1750℃。温差电材料优质系数0.25×10-3K-1。一般为p型材料，掺锰形成n型材料。采用金属氧化物与硅还原法、化学气相沉积或溅射法制备。为优良温差电材料。
CAS号：
性质：周期表第Ⅳ、Ⅵ族元素化合物半导体。六角晶系，密度4.4g/cm3，禁带宽度0.35eV，电阻率10-5Ω·m。熔点1550～1750℃。温差电材料优质系数0.25×10-3K-1。一般为p型材料，掺锰形成n型材料。采用金属氧化物与硅还原法、化学气相沉积或溅射法制备。为优良温差电材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条