1) AgInSe_2
银铟硒
1.
Comparison of Photoelectrochemistry Oscillating Behaviour of Electrodeposited Semiconductor Thin Films CuInSe_2, AgInSe_2 and AuInSe_2;
对用电沉积方法制备的铜铟硒、银铟硒和金铟硒半导体薄膜在阴极还原H2O2时产生的（光）电化学振荡现象进行了对比性的分析与研究。
3) AgGa_(1-x)In_xSe_2 crystal
硒铟镓银晶体
4) silver indium diselenide crystal
二硒化铟银晶体
5) CuInSe_2
铜铟硒
1.
Fundamental studies of CuInSe_2 thin films based solar cells;
铜铟硒薄膜太阳能电池的几个基础问题研究
2.
Comparison of Photoelectrochemistry Oscillating Behaviour of Electrodeposited Semiconductor Thin Films CuInSe_2, AgInSe_2 and AuInSe_2;
对用电沉积方法制备的铜铟硒、银铟硒和金铟硒半导体薄膜在阴极还原H2O2时产生的（光）电化学振荡现象进行了对比性的分析与研究。
6) AuInSe_2
金铟硒
1.
Comparison of Photoelectrochemistry Oscillating Behaviour of Electrodeposited Semiconductor Thin Films CuInSe_2, AgInSe_2 and AuInSe_2;
铜、银、金铟硒半导体薄膜光电化学振荡行为比较
补充资料：银铟合金
分子式：
CAS号：
性质：银和铟的二元合金，铟在银中的最大溶解度约21%。有AgIn18，AgIn90，AgIn97等。采用粉末法制取。用熔炼和压力加工法，可加工成线材和片材。AgInl8作滑动元件、换向器等；AgIn90和AgIn97作低温材料。也用作核反应堆控制棒。
CAS号：
性质：银和铟的二元合金，铟在银中的最大溶解度约21%。有AgIn18，AgIn90，AgIn97等。采用粉末法制取。用熔炼和压力加工法，可加工成线材和片材。AgInl8作滑动元件、换向器等；AgIn90和AgIn97作低温材料。也用作核反应堆控制棒。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条