1) silver selenogallate crystal
硒镓银晶体
2) AgGa_(1-x)In_xSe_2 crystal
硒铟镓银晶体
3) silver selenogallate Single crystal
硒镓银单晶体
4) silver gallium diselenide crystal
二硒化镓银晶体
6) copper gallium diselenide crystal
二硒化镓铜晶体
补充资料:二硒化铟银晶体
分子式:
CAS号:
性质:周期表I,III,VI族元素化合物半导体。共价键结合,有一定离子键成分。正方晶系黄铜矿型结构,晶格常数0.6091nm。为直接带隙半导体,室温禁带宽度1.24eV,电子与空穴迁移率分别为6×10-2和7.5×10-2m2/(V·s),熔点773℃。采用布里奇曼法、区域熔炼法制备。
CAS号:
性质:周期表I,III,VI族元素化合物半导体。共价键结合,有一定离子键成分。正方晶系黄铜矿型结构,晶格常数0.6091nm。为直接带隙半导体,室温禁带宽度1.24eV,电子与空穴迁移率分别为6×10-2和7.5×10-2m2/(V·s),熔点773℃。采用布里奇曼法、区域熔炼法制备。
说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。
参考词条