1) crystalline silicon nitride film
结晶氮化硅膜
2) a-SiN x:H films
非晶氮化硅薄膜
3) SiN film
氮化硅膜
5) silicon nitride film
氮化硅薄膜
1.
Microfabrication of silicon nitride film applied in microsensor;
微型传感器中氮化硅薄膜的微加工技术
2.
The structure and the property of amorphous silicon nitride film formed by direct current-plasma chemical vapour deposition (DC-PCVD) were analyzed.
对用直流等离子体化学气相沉积(DC—PCVD)法得到的非晶态氮化硅薄膜结构与性能进行了研究。
3.
0eV laser excitation, six luminescence emission bands of LPCVD silicon nitride film were observed corresponding to 2.
０ｅＶ的激光激发下，在室温下ＬＰＣＶＤ氮化硅薄膜可发射高强度可见荧光，其峰位位置分别为２。
6) silicon nitride thin film
氮化硅薄膜
1.
As a kind of mufti- functional materials, silicon nitride thin film is widely used in many fields.
氮化硅薄膜是一种多功能材料,在许多领域有着广泛的应用。
2.
In order to study preparation process and PL mechanism of silicon nitride thin films,the nc-Si(nanocrystalline Si)embedded in silicon nitride thin films were prepared by RF magnetron reaction sputtering technique and thermal annealing.
为研究氮化硅薄膜发光材料的制备工艺及其光致发光机制,实验采用射频磁控反应溅射技术与热退火处理制备了纳米硅镶嵌氮化硅薄膜材料。
3.
In the manufacture of microelectronic materials and devices, silicon nitride thin film is used as passivating film, insulation layer and diffusion mask.
氮化硅薄膜是一种多功能材料,在许多领域有着广泛的运用:在微电子材料及器件生产中,氮化硅作为钝化膜、绝缘层和扩散掩膜;硅基太阳能电池中,氮化硅用作钝化膜和减反射膜;在硅基发光材料中作为硅纳米团簇的包埋母体等等。
补充资料：结晶氮化硅膜
分子式：Si3N4
CAS号：
性质： 一种晶体结构的绝缘膜。属六角晶系。禁带宽度3.9～4.0eV。密度3.4g/cm3。介电常数9.4。折射率2.10。电阻率1018Ω·m。腐蚀速率小于0.01nm/min。采用直接氯化、溅射、低压化学气相沉积等方法制取。对碱金属原子有强的阻挡力。用作半导体器件钝化膜。
CAS号：
性质： 一种晶体结构的绝缘膜。属六角晶系。禁带宽度3.9～4.0eV。密度3.4g/cm3。介电常数9.4。折射率2.10。电阻率1018Ω·m。腐蚀速率小于0.01nm/min。采用直接氯化、溅射、低压化学气相沉积等方法制取。对碱金属原子有强的阻挡力。用作半导体器件钝化膜。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条