1) Si3N4 passivation film
氮化硅钝化膜
2) Si3N4 passivation
氮化硅钝化
1.
It s indicated in a contrast test that by using the same materials and different technologies, the performance of products based on using Si3N4 passivation technology are better than that based on conventional semiconductor technology.
介绍一种硅应变计，通过使用同种材料、采用两种不同的工艺技术对比试验，测试结果表明，氮化硅钝化技术制造的产品性能优于常规半导体技术制作的同类产品。
3) silicon nitride passivation layer
氮化硅钝化层
4) SiN film
氮化硅膜
5) Silicate passivation film
硅酸盐钝化膜
6) silicon nitride film
氮化硅薄膜
1.
Microfabrication of silicon nitride film applied in microsensor;
微型传感器中氮化硅薄膜的微加工技术
2.
The structure and the property of amorphous silicon nitride film formed by direct current-plasma chemical vapour deposition (DC-PCVD) were analyzed.
对用直流等离子体化学气相沉积(DC—PCVD)法得到的非晶态氮化硅薄膜结构与性能进行了研究。
3.
0eV laser excitation, six luminescence emission bands of LPCVD silicon nitride film were observed corresponding to 2.
０ｅＶ的激光激发下，在室温下ＬＰＣＶＤ氮化硅薄膜可发射高强度可见荧光，其峰位位置分别为２。
补充资料：氮化硅晶须补强氮化硅陶瓷复合材料
分子式：
CAS号：
性质：以氮化硅陶瓷为基体，以氮化硅晶须为增强体的复合材料。它具有高强度、高硬度、耐高温、抗蠕变、抗氧化、抗化学腐蚀、抗热冲击、耐磨等优良性能，是一种重要的高温结构陶瓷。使用温度可达1300℃，可用在陶瓷刀具、拔丝模、轴承、涡轮转子、耐热坩埚等方面。采用粉末冶金复合法制备。这一复合材料的界面难以控制，一般氮化硅晶须要通过涂层，才能保持在烧结过程中的稳定性。
CAS号：
性质：以氮化硅陶瓷为基体，以氮化硅晶须为增强体的复合材料。它具有高强度、高硬度、耐高温、抗蠕变、抗氧化、抗化学腐蚀、抗热冲击、耐磨等优良性能，是一种重要的高温结构陶瓷。使用温度可达1300℃，可用在陶瓷刀具、拔丝模、轴承、涡轮转子、耐热坩埚等方面。采用粉末冶金复合法制备。这一复合材料的界面难以控制，一般氮化硅晶须要通过涂层，才能保持在烧结过程中的稳定性。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条