补充资料：辐射探测器用硅单晶

辐射探测器用硅单晶
silicon crystal for radiation detector

fushe toneeqlyong guldonjrng辐射探测器用硅单晶(silieon crystal for ra-diation deteetor)用于X射线探测器的半导体材料。硅可用于制作结型、面晶型、锉漂移型等多种射线辐射探测器。虽然各种探测器都有自己的特殊要求，但其共同的要求是:碳含量低于2x1016/c m3;氧含量低于lxlo‘6/cm“;深能级杂质如铁、镍等低于1丁‘。g/g;少子寿命大于500娜;对微缺陷的种类与分布要进行控制等。这些单晶均用区熔法制成。为达到高纯的目的，要采用基磷与基硼含量很低的多晶，以硅烷法多晶为主。在成晶前需进行多次真空区熔提纯，提纯过程应避免碳等杂质的污染，并保持真空度不高于10一甲a。对n型高阻单晶，现在多采用中子擅变掺杂法以保证良好的均匀性。材料的适用性常以作出探测器的性能参数作为主要的判据。单晶的需求量不大。 (那云英)

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