1) copper/tantalum thin film
铜/钽薄膜
3) LiTaO3 thin film
钽酸锂薄膜
1.
The LiTaO3 thin film material and its applications in pyroelectric infrared sensors are presented in this paper.
介绍了钽酸锂薄膜材料及其热释电红外传感器应用研究概况;简要阐述了热释电红外传感器的工作原理;着重分析了钽酸锂薄膜材料的新制备技术,以及在热释电红外传感器应用方面的研究现状;指出了钽酸锂薄膜材料及其热释电红外传感器应用研究发展前景。
2.
The LiTaO3 thin film was chosen as infrared sensing film and prepared by a sol-gel process using lithium acetate and tantalum ethoxide as starting materials.
用醋酸锂和乙醇钽作为起始反应物,通过溶胶凝胶工艺生成了对红外敏感的钽酸锂薄膜,并详细讨论了基于钽酸锂薄膜的红外探测器件制备工艺。
4) tantalum oxide films
氧化钽薄膜
1.
Microanalysis of tantalum oxide films deposited by dynamic ion beam mixing;
动态离子束混合沉积氧化钽薄膜的微观分析
2.
Ta/Tantalum Pentoxide/Ta (MIM) structure was fabricated to investigate the I-V characteristics of tantalum oxide films.
氧化钽薄膜中缺陷的存在和粗糙度增大容易引起漏电流增大,击穿强度降低。
5) TaN film
氮化钽薄膜
6) Ta-Al-N thin-films
钽铝氮薄膜
补充资料：氮化钽电阻薄膜
分子式：
CAS号：
性质：一种钽基中低阻薄膜。主成分为氮化钽。具有熔点高(3090℃)、电阻温度系数小和稳定性高的特点。电阻率180～220μΩ/cm，方阻50～100Ω，TCR<-50×10-6/℃。采用溅射法工艺制备。用于制作中低阻薄膜元件。
CAS号：
性质：一种钽基中低阻薄膜。主成分为氮化钽。具有熔点高(3090℃)、电阻温度系数小和稳定性高的特点。电阻率180～220μΩ/cm，方阻50～100Ω，TCR<-50×10-6/℃。采用溅射法工艺制备。用于制作中低阻薄膜元件。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条