1) tantalum nitride resistance film
氮化钽电阻薄膜
2) tantalum nitride resistor
氮化钽膜电阻器
3) TaN film
氮化钽薄膜
4) tantalum silicon resistance film
钽硅电阻薄膜
5) tantalum aluminium resistance film
钽铝电阻薄膜
6) tantalum nitride resistor
氮化钽电阻器
补充资料：氮化钽电阻薄膜
分子式：
CAS号：
性质：一种钽基中低阻薄膜。主成分为氮化钽。具有熔点高(3090℃)、电阻温度系数小和稳定性高的特点。电阻率180～220μΩ/cm，方阻50～100Ω，TCR<-50×10-6/℃。采用溅射法工艺制备。用于制作中低阻薄膜元件。
CAS号：
性质：一种钽基中低阻薄膜。主成分为氮化钽。具有熔点高(3090℃)、电阻温度系数小和稳定性高的特点。电阻率180～220μΩ/cm，方阻50～100Ω，TCR<-50×10-6/℃。采用溅射法工艺制备。用于制作中低阻薄膜元件。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条