1) tantalum silicon resistance film
钽硅电阻薄膜
2) tantalum nitride resistance film
氮化钽电阻薄膜
3) tantalum aluminium resistance film
钽铝电阻薄膜
4) Cr-Si thin film resistor
铬硅电阻薄膜
5) tantalum thin-film circuit
钽薄膜电路
6) tantalum dielectric film
钽基介电薄膜
补充资料:钽硅电阻薄膜
分子式:
CAS号:
性质:一种由钽和硅的金属间化合物组成的高电阻薄膜。具有耐高温(熔化温度2510℃)、耐腐蚀和高电阻的特点。硅含量在13%~75%(原子)时,电阻率为240~300μΩ·cm。TCR为(-800±40)×10-6/℃,高温稳定性为±0.1%。采用钽硅共溅射法或硅烷与钽在氩气中反应制得。用于制作高温薄膜电阻元器件。
CAS号:
性质:一种由钽和硅的金属间化合物组成的高电阻薄膜。具有耐高温(熔化温度2510℃)、耐腐蚀和高电阻的特点。硅含量在13%~75%(原子)时,电阻率为240~300μΩ·cm。TCR为(-800±40)×10-6/℃,高温稳定性为±0.1%。采用钽硅共溅射法或硅烷与钽在氩气中反应制得。用于制作高温薄膜电阻元器件。
说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。
参考词条