2) 248 nm photoresists
248nm光刻胶
4) UV deep lithography
紫外深度光刻
1.
Correction of pattern transfer errors for SU-8 UV deep lithography;
SU-8紫外深度光刻的误差及修正(英文)
6) UV lithography
紫外厚胶光刻
1.
The UV lithography technology of SU-8 photoresist and its application in 3-D MEMS inductors are re-ported.
研究了紫外厚胶光刻技术在三维微机械电感中的应用。
补充资料：紫外光刻胶
分子式：
CAS号：
性质：用紫外光作曝光光源的光刻胶。一般是指分光感度波长为300～450nm的近紫外抗蚀剂。紫外光刻胶有负性、正性和正-负性两用三类。负性的代表品种是聚乙烯醇肉桂酸酯、环化橡胶系抗蚀剂，正性代表品种是重氮萘醌系抗蚀剂，正负性抗蚀剂是为了兼顾其既有正性又有负性的性能，往往会给全面照顾抗蚀剂应用上带来一些难题，目前尚未商品化。
CAS号：
性质：用紫外光作曝光光源的光刻胶。一般是指分光感度波长为300～450nm的近紫外抗蚀剂。紫外光刻胶有负性、正性和正-负性两用三类。负性的代表品种是聚乙烯醇肉桂酸酯、环化橡胶系抗蚀剂，正性代表品种是重氮萘醌系抗蚀剂，正负性抗蚀剂是为了兼顾其既有正性又有负性的性能，往往会给全面照顾抗蚀剂应用上带来一些难题，目前尚未商品化。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条