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1)  Si/Si direct bonding
Si/Si直接键合
1.
A physical model of the interfacial stresses of Si/Si direct bonding was presented based on the Suhire theory of stresses presented in bimetal strips,and the analytical equations of the normal stresses,the shearing stresses and the peeling stresses were derived according to the stress model.
根据Suhir的双金属带的热应力分布理论,建立了Si/Si直接键合界面应力模型,推导出了由于高温引起的正应力、剪切应力和剥离应力的解析方程。
2)  silicon-grass direct bonding(SGDB)
Si-玻璃直接键合(SGDB)
3)  Si-O-Si bond
Si-O-Si键
4)  PZT/Si bonding
PZT/Si接合
1.
This thesis also details PZT/Si bonding technology based on MEMS fabrication using the aforementioned optimizaing structure parameters.
本文还详细说明了采用基于MEMS工艺的PZT/Si接合技术对前述优化结构进行制作的工艺,重点阐述了三个关键技术:PZT陶瓷块材与SOI基片的精确接合、PZT陶瓷的打磨和PZT的图形化。
5)  InP/Si wafer bonding
InP/Si晶片键合
6)  direct nitidation of Si powder
Si粉直接氮化
补充资料:Al-Si cast aluminium alloy
分子式:
CAS号:

性质:以硅为主要合金元素的铸造铝合金。硅的添加量范围为5%~25%,并添加镁、铜等元素,形成亚共晶型、共晶型或过共晶型合金。含硅量为5%~13%的亚共晶型或共晶型合金是工业生产中应用最广泛的铸造铝合金。良好的铸造工艺性能和气密性是它们的主要特点。含硅量在13%以上的过共晶型合金具有热膨胀系数小、耐磨性好等特点。

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参考词条