1) gated diode
SOI NMOSFET
2) SOI NMOSFET s
SOI NMOSFET s
1.
Channel Hot-Carriers Induced Degradation Behavior in SOI NMOSFET s;
沟道热载流子导致的SOI NMOSFET s的退化特性
3) PD SOI NMOSFET
PD SOI NMOSFET
1.
An Analytical Temperature0Dependent Kink Effect Model of PD SOI NMOSFET;
PD SOI NMOSFET翘曲效应的温度模型
4) nMOSFET
nMOSFET
1.
A High Performance 0.18μm RF nMOSFET with 53GHz Cutoff Frequency;
截止频率53GHz的高性能0 .18μm射频nMOSFET(英文)
2.
Effects of the technology of implanting nitrogen into buried oxide layer on the characteristics of partially depleted SOI nMOSFET;
埋氧层注氮工艺对部分耗尽SOI nMOSFET特性的影响
3.
ESD protection design for multi-finger nMOSFET;
多指条nMOSFET抗ESD设计技术
5) NMOSFET's
NMOSFET's
1.
Study on Pulse Stress Enhanced Hot-Carrier Effects in NMOSFET′s;
脉冲应力增强的NMOSFET′s热载流子效应研究
6) SOI
SOI
1.
Study of the Single-Event Effect of SOI NMOSFET by 3-D Simulation;
SOI NMOSFET单粒子效应的3-D模拟
2.
The Design of Three-Axis Accelerometer Based on SOI;
基于SOI的三轴压阻微加速度计的设计
3.
Simulation experiment of tolerance of irradiation about domestic SOI 1750A microprocessor;
国产SOI 1750A微处理器抗辐射效应模拟试验
参考词条
SOI CMOS
SOI MOSFETs
SOI LDMOS
PD SOI
SiGe/SOI
SRAM/SOI
SOI-LDMOS
SDB/SOI
SOI/SiGeOI
Si1-xGex/SOI
MOSFET/SOI
SOI/CMOS
CMOS/SOI
SOS/SOI
SOI PICs
超深亚微米nMOSFET
等效电
陨石氧同位素
补充资料:Au-Pd-Cr-Pt-Fe-Al-Y alloys
分子式:
CAS号:
性质:金基与钯、铬、铂、铁、铝和钇的多元合金,电阻系数最高。生产方法参见金钯铬合金。可用作高温应变材料。
CAS号:
性质:金基与钯、铬、铂、铁、铝和钇的多元合金,电阻系数最高。生产方法参见金钯铬合金。可用作高温应变材料。
说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。