1) SOI-LDMOS
SOI-LDMOS
1.
A Study on Cut-Off Frequency of High-Voltage SOI-LDMOS;
高压SOI-LDMOS截止频率研究
2.
Structure Design of SOI-LDMOS;
SOI-LDMOS器件的结构设计
3.
Design of 30V,2.4GHz SOI-LDMOS;
30V,2.4GHz SOI-LDMOS 设计
2) SOI LDMOS
SOI LDMOS
1.
An Analytical Model of Threshold Voltage for Fully-Depleted SOI LDMOS;
全耗尽SOI LDMOS阈值电压的解析模型
2.
A Novel D-RESURF SOI LDMOS with Embedded Gate;
一种新型D-RESURF埋栅SOI LDMOS
3) RF-SOI LDMOS
RF-SOI LDMOS
1.
MOS Model 20 Based RF-SOI LDMOS Large-Signal Modeling;
基于MOS Model 20的RF-SOI LDMOS大信号建模(英文)
4) patterned SOI LDMOS
图形化SOI LDMOS
1.
By using the software of ISE and the patterned SOI LDMOS with good performance,the relationship between transconductance and the thickness of gate oxide and SOI layer ,the concentration of the drift region and the channel are all discussed in this paper.
借助ISE软件,以调试后各参数性能优良的图形化SOI LDMOS器件为仿真平台,研究并分析了栅氧化层厚度,漂移区浓度,沟道浓度,SOI层厚度四个结构工艺参数对图形化SOI LDMOS跨导gm的影响。
5) SO-
SO-
1.
By using QCISD/6-311G(d)method, the ground state of SO - 2, and its energy, harmonic frequencies, force constants have been calculated.
用二次组态相互作用方法 ,在 6 31 1G(d)基组水平上对SO-2 离子进行了理论计算 ,得到了它的结构、能量、谐振频率和力学性质 ,其结果与实验值符合得非常好 。
6) SO
SO
1.
Absence and Redundancy of SO Committed by Chinese EFL Learner;
中国英语学习者SO的缺省和冗余失误分析
2.
"So" also has many pragmatic functions such as textual organization function,interaction function and emotion expressive function in different contexts.
So在不同语境下可作多种语用标记——语篇结构标记、话语标记和评论性标记,具有多种语用功能——语篇组织功能、言语互动功能和情感互动功能。
参考词条
SO-LSA
SO(4)
SO+2
So-hotel
SO(3,1/N)
SO_(2)
SO-MSA
SO响应
SO自由基
So(3)群
SO~4_(2-)MoO_3-TiO_2
SO~(2-)_4/SnO_2
双SO耦合
SO机制
SO┐SS机制
舌苔分析
广东省梅州市
补充资料:Rf-COOH-Rf-SO3H 
分子式:
CAS号:
性质:又称全氟羧酸-磺酸复合离子膜 Rf-COOH-Rf-SO3H 电解食盐水溶液离子膜电解槽所用的膜材料之一。使用时,将较薄的羧酸层面向阴极,较厚的磺酸层面向阳极,因而兼有羧酸膜和磺酸膜的优点。由于Rf-COOH层的存在,可阻挡氢氧离子返迁移到阳极室,确保了高的电流效率(96%),因Rf-SO3层的电阻低,能在高电流密度下运行,且阴极液可用盐酸中和,产品氯气中氧含量低,氢氧化钠浓度可达33%~35%。可在全氟磺酸膜上涂敷一层全氟羧酸的聚合物,或是将磺酸膜和羧酸膜进行层压,或是采用化学方法处理而制得的复合膜。现以采用化学方法处理者质量最佳。
CAS号:
性质:又称全氟羧酸-磺酸复合离子膜 Rf-COOH-Rf-SO3H 电解食盐水溶液离子膜电解槽所用的膜材料之一。使用时,将较薄的羧酸层面向阴极,较厚的磺酸层面向阳极,因而兼有羧酸膜和磺酸膜的优点。由于Rf-COOH层的存在,可阻挡氢氧离子返迁移到阳极室,确保了高的电流效率(96%),因Rf-SO3层的电阻低,能在高电流密度下运行,且阴极液可用盐酸中和,产品氯气中氧含量低,氢氧化钠浓度可达33%~35%。可在全氟磺酸膜上涂敷一层全氟羧酸的聚合物,或是将磺酸膜和羧酸膜进行层压,或是采用化学方法处理而制得的复合膜。现以采用化学方法处理者质量最佳。
说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。