1) Si-SiGe CMOS
SOI/SiGeOI
2) Silicon on insulator
SOI
1.
An ultracompact 3 dB coupler is designed and fabricated in silicon on insulator,based on 1×2 line tapered multimode interference (MMI) coupler.
采用线锥形结构 ,在 silicon- on- insulator(SOI)材料上设计并实现了一种新的紧缩型 3- d B多模干涉耦合器(MMI) 。
2.
A 4×4 area modulation silicon on insulator (SOI) multimode interference coupler optical switch, composed of four cascaded 2×2 area modulation optical switches, has been designed.
根据区域调制多模干涉耦合器光开关的工作原理 ,以 2× 2区域调制多模干涉光开关为基础 ,采用级联的方式设计了 4× 4区域调制多模干涉SOI光波导开关。
3.
Silicon on insulator(SOI) structure, as a very large scale integrated circuit(VLSI) wafer, has attractive features such as radiationhardening, no parasitic capacitance and latchup effect.
绝缘体上生长的薄单晶硅膜 (SOI)具有良好的横向绝缘、抗辐照、无锁存效应和无寄生电容 ,并能有效地提高硅集成电路的速度和集成度 ,在深亚微米 VL SI技术中 ,具有很大的优势和潜力。
3) SOI Material
SOI材料
1.
A novel variable optical attenuator based on SOI material;
一种基于SOI材料的直波导可调谐光衰减器
2.
A novel variable optical attenuator based on SOI material was designed.
设计了一种新型的、基于SOI材料的可调谐光衰减器,其调制区采用了独特的双脊型PIN结构,增强了注入电流场与光场的重叠,提高电注入效率。
3.
The characterization by means of inductively coupled plasma atomic emission spectroscopy (ICP AES) for metal impurity contamination produced during the high dose oxygen ion implantation for fabricating SIMOX SOI materials is investigated.
研究了采用感应耦合等离子体 原子发射光谱技术表征高剂量氧注入单晶硅制备SIMOX SOI材料过程中金属杂质污染的有效性 。
5) SOI device
SOI器件
1.
Intelligence control system of higher temperature environmental test for SOI device;
SOI器件高温环境实验智能控制系统
2.
The effect of SOI device structure parameters on device performance is investigated.
分析了SOI器件各结构参数对器件性能的影响 ,给出了器件各结构参数的优化方向 ,找出了可行硅膜厚度和可行沟道掺杂浓度之间的设计容区 。
6) Industrialized SOI material
SOI产业化
补充资料：aluminous soil
铝矾土又称矾土或铝土矿，主要成分是氧化铝，系含有杂质的水合氧化铝，是一种土状矿物。白色或灰白色，因含铁而呈褐黄或浅红色。密度3.9～4g/cm3，硬度1～3，不透明，质脆。极难熔化。不溶于水，能溶于硫酸、氢氧化钠溶液。主要用于炼铝，制耐火材料。
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参考词条