1) SOI LDMOS
SOI LDMOS
1.
An Analytical Model of Threshold Voltage for Fully-Depleted SOI LDMOS;
全耗尽SOI LDMOS阈值电压的解析模型
2.
A Novel D-RESURF SOI LDMOS with Embedded Gate;
一种新型D-RESURF埋栅SOI LDMOS
2) SOI-LDMOS
SOI-LDMOS
1.
A Study on Cut-Off Frequency of High-Voltage SOI-LDMOS;
高压SOI-LDMOS截止频率研究
2.
Structure Design of SOI-LDMOS;
SOI-LDMOS器件的结构设计
3.
Design of 30V,2.4GHz SOI-LDMOS;
30V,2.4GHz SOI-LDMOS 设计
3) RF-SOI LDMOS
RF-SOI LDMOS
1.
MOS Model 20 Based RF-SOI LDMOS Large-Signal Modeling;
基于MOS Model 20的RF-SOI LDMOS大信号建模(英文)
4) patterned SOI LDMOS
图形化SOI LDMOS
1.
By using the software of ISE and the patterned SOI LDMOS with good performance,the relationship between transconductance and the thickness of gate oxide and SOI layer ,the concentration of the drift region and the channel are all discussed in this paper.
借助ISE软件,以调试后各参数性能优良的图形化SOI LDMOS器件为仿真平台,研究并分析了栅氧化层厚度,漂移区浓度,沟道浓度,SOI层厚度四个结构工艺参数对图形化SOI LDMOS跨导gm的影响。
5) LDMOS
LDMOS
1.
Design of a LDMOS Microwave Power Amplifier for Radar;
用于雷达的LDMOS微波功率放大器设计
2.
Study and Improvement on Etching Method of Double Gate Oxide in LDMOS Process;
双栅氧LDMOS器件工艺技术的研究与改进
3.
Research for High Voltage LDMOS Power Device;
高压LDMOS功率器件的研究
6) SOI
SOI
1.
Study of the Single-Event Effect of SOI NMOSFET by 3-D Simulation;
SOI NMOSFET单粒子效应的3-D模拟
2.
The Design of Three-Axis Accelerometer Based on SOI;
基于SOI的三轴压阻微加速度计的设计
3.
Simulation experiment of tolerance of irradiation about domestic SOI 1750A microprocessor;
国产SOI 1750A微处理器抗辐射效应模拟试验
参考词条
ESCR-LDMOS
LDMOS器件
体硅LDMOS
单路LDMOS
LDMOS功率
功率LDMOS
高压LDMOS
栅接地LDMOS
栅耦合LDMOS
SOI MOSFET
SOI CMOS
SOI MOSFETs
PD SOI
SiGe/SOI
SRAM/SOI
SDB/SOI
内源氮损失
平均核子数密度
补充资料:Rf-COOH-Rf-SO3H 
分子式:
CAS号:
性质:又称全氟羧酸-磺酸复合离子膜 Rf-COOH-Rf-SO3H 电解食盐水溶液离子膜电解槽所用的膜材料之一。使用时,将较薄的羧酸层面向阴极,较厚的磺酸层面向阳极,因而兼有羧酸膜和磺酸膜的优点。由于Rf-COOH层的存在,可阻挡氢氧离子返迁移到阳极室,确保了高的电流效率(96%),因Rf-SO3层的电阻低,能在高电流密度下运行,且阴极液可用盐酸中和,产品氯气中氧含量低,氢氧化钠浓度可达33%~35%。可在全氟磺酸膜上涂敷一层全氟羧酸的聚合物,或是将磺酸膜和羧酸膜进行层压,或是采用化学方法处理而制得的复合膜。现以采用化学方法处理者质量最佳。
CAS号:
性质:又称全氟羧酸-磺酸复合离子膜 Rf-COOH-Rf-SO3H 电解食盐水溶液离子膜电解槽所用的膜材料之一。使用时,将较薄的羧酸层面向阴极,较厚的磺酸层面向阳极,因而兼有羧酸膜和磺酸膜的优点。由于Rf-COOH层的存在,可阻挡氢氧离子返迁移到阳极室,确保了高的电流效率(96%),因Rf-SO3层的电阻低,能在高电流密度下运行,且阴极液可用盐酸中和,产品氯气中氧含量低,氢氧化钠浓度可达33%~35%。可在全氟磺酸膜上涂敷一层全氟羧酸的聚合物,或是将磺酸膜和羧酸膜进行层压,或是采用化学方法处理而制得的复合膜。现以采用化学方法处理者质量最佳。
说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。