1) GaAs MMI(
GaAs MMIC
2) GaAs MMIC process
GaAs MMIC工艺
1.
The fabrication process of this power sensor is fully compatible with a GaAs MMIC process.
该结构制作工艺与GaAs MMIC工艺完全兼容。
3) MMIC
MMIC
1.
MMIC T/R Modules and Ship-Borne Multifunction Phased Array Radars;
MMICT/R组件与舰载多功能相控阵雷达
2.
1.0μm Gate-Length GaAs MHEMT Devices and SPDT Switch MMICs;
1.0μm栅长GaAs基MHEMT器件及SPDT开关MMIC(英文)
3.
A 12~18GHz Wide Band VCO Based on Quasi-MMIC;
基于准MMIC技术的12~18GHz宽带VCO(英文)
4) GaAs
GaAs
1.
Synthesis of nano-sized CeO_2 via alcohol-water method and its polishing performance on GaAs wafer;
纳米CeO_2的醇水法制备及其对GaAs晶片的抛光性能
2.
Ordered SiO_2 Colloidal Crystals Grown on GaAs Substrates;
垂直沉积法在GaAs衬底上制备有序SiO_2胶体晶体
3.
Indentation Induced Dislocations in GaAs Single Crystal;
压痕诱发GaAs单晶中的位错组态
5) DSP+MMIC
DSP+MMIC
1.
In order to avoid car-pursuing collision, a design resolution of In-car Radar system based on DSP+MMIC framework is presented.
为解决汽车追尾相撞问题,提出了一种DSP+MMIC架构的便携式车载雷达系统的设计方案。
6) ICC Shielding
RFIC/MMIC
参考词条
超宽带MMIC
GaAs/AlAs/GaAs
Al GaAs/GaAs
n-GaAs/SI-GaAs
InAsSb/GaAs
GaAs/Ge
GaAs/AlAs
InGaP/GaAs
GaAs/AlGaAs
GaAs1-xSbx/GaAs
AlGaAs/GaAs
AlxGa1-xAs/GaAs
GaAs/Si
GaAs:CrPCD
GaAs/PS
GaAs-GaN
序贯搜索法
多个体性
补充资料:GaAs epitaxial wafer
分子式:
CAS号:
性质:在特定晶向[(100)或(100)偏向最近<110>2 ~5 的晶面]砷化镓衬底上外延生长的单晶薄层材料外延工艺有LPE、VPE、MOCVD、MBE、CBE、ALE等工业选择取决于器件结构等因素,一般LPE、VPE多用于商品化器件,如光探测器、霍尔器件等。MBE、CBE、ALE多用于最子阱超晶格材料。MOCVD两方面兼而有之。
CAS号:
性质:在特定晶向[(100)或(100)偏向最近<110>2 ~5 的晶面]砷化镓衬底上外延生长的单晶薄层材料外延工艺有LPE、VPE、MOCVD、MBE、CBE、ALE等工业选择取决于器件结构等因素,一般LPE、VPE多用于商品化器件,如光探测器、霍尔器件等。MBE、CBE、ALE多用于最子阱超晶格材料。MOCVD两方面兼而有之。
说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。