1)  InGaP/GaAs
InGaP/GaAs
1.
Structure and properties of InGaP/GaAs epilayers grown by solid-source molecular beam epitaxy with a GaP decomposition source;
分解GaP源固态分子束外延生长InGaP/GaAs的结构和性能
2.
DESIGN AND FABRICATION OF InGaP/GaAsDUALJUNCTION SOLAR CELLS;
InGaP/GaAs双结太阳电池的研制
3.
Design and Fabrication of InGaP/GaAs Tandem Solar Cells;
InGaP/GaAs串接太阳电池的设计与研制
2)  InGaP/GaAs
铟镓磷/砷化镓
3)  InGaP/GaAs HBT
InGaP/GaAs异质结双极晶体管
1.
A Monolithic InGaP/GaAs HBT VCO for 5GHz Wireless Applications;
介绍了一种由商用InGaP/GaAs异质结双极晶体管工艺制成、基于负阻原理的单片压控振荡器,此电路定位于5GHz频段下的无线应用。
4)  InGaP/GaAs HBT model
InGaP/GaAsHBT模型
5)  InGaP/GaAs HBT
InGaP/GaAsHBT
1.
A new simplified VBIC model for a single- or a multi-finger InGaP/GaAs HBT is presented.
测量和模型仿真I -V特性及其在多偏置条件下多频率点S 参数对比结果表明,DC~9GHz频率范围内,简化后的模型可对InGaP/GaAsHBT交流小信号特性进行较好的表征。
2.
A 10Gb/s driver IC for optic modulator has been implemented using our 4-inch InGaP/GaAs HBT process.
采用自行研发的 4英寸InGaP/GaAsHBT技术 ,设计和制造了 10Gb/s光调制器驱动电路 。
6)  InGaP/GaAs HBT
InGaP/GaAs HBT
1.
An InGaP/GaAs HBT MIC Power Amplifier with Power Combining at the X-Band;
InGaP/GaAs HBT X波段混合集成功率合成放大器的研制(英文)
参考词条
补充资料：GaAs epitaxial wafer
分子式：
CAS号：

性质：在特定晶向[(100)或(100)偏向最近<110>2 ～5 的晶面]砷化镓衬底上外延生长的单晶薄层材料外延工艺有LPE、VPE、MOCVD、MBE、CBE、ALE等工业选择取决于器件结构等因素，一般LPE、VPE多用于商品化器件，如光探测器、霍尔器件等。MBE、CBE、ALE多用于最子阱超晶格材料。MOCVD两方面兼而有之。

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