1) Al 0.8 Ga 0.2 As/GaAs
AlxGa1-xAs/GaAs
2) Al_xGa_(1-x)As/GaAs
GaAs/AlxGa1-xAs
1.
The polaron binding energy is obtained numerically for a Al_xGa_(1-x)As/GaAs quantum well system.
计入流体静压力效应,同时考虑量子阱中三类光学声子模(局域类体光学声子、半空间类体光学声子和界面光学声子模)对单电子基态能量的影响,采用变分法讨论GaAs/AlxGa1-xAs量子阱中自由极化子的结合能。
3) GaAs/AlxGa1-xAs heterostructure
GaAs/AlxGa1-xAs异质结
1.
In 1996, the group Pepper of Cavendish Laboratory not only observed the giant oscillation in the acoustoelectric current induced by the surface acoustic wave (SAW) as function of the split gate voltage when SAW launched along the quasi-one-dimensional electron channel defined in a GaAs/AlxGa1-xAs heterostructure by split gate but also fou.
1996年剑桥大学凯文迪什实验室的Pepper小组在实验中观察到,表面声波在GaAs/AlxGa1-xAs异质结表面上沿由分裂门产生的准一维电子通道方向传播时,在通道内诱导产生的声电电流随门电压振荡,且在一维通道钳断的情况下,声电电流是量子化的,其值为,其中为正整数,为表面声波的频率,是电子电荷。
4) Al_xGa_(1-x)As
AlxGa1-xAs
1.
The wet oxidation of buried Al_xGa_(1-x)As was investigated.
详细研究了温度和Al组分与AlxGa1-xAs横向氧化速率的关系,通过分析氧化机制和实验得到的氧化宽度与时间的线性关系,指出在较短时间内的氧化为受AlxGa1-xAs材料与水汽反应速率限制的过程。
5) AlxGa1-xAs tri-compound
AlxGa1-xAs三元化合物
6) Al x Ga 1-x As wet oxidation
AlxGa1-xAs湿氮选择氧化
补充资料：GaAs epitaxial wafer
分子式：
CAS号：
性质：在特定晶向[(100)或(100)偏向最近<110>2 ～5 的晶面]砷化镓衬底上外延生长的单晶薄层材料外延工艺有LPE、VPE、MOCVD、MBE、CBE、ALE等工业选择取决于器件结构等因素，一般LPE、VPE多用于商品化器件，如光探测器、霍尔器件等。MBE、CBE、ALE多用于最子阱超晶格材料。MOCVD两方面兼而有之。
CAS号：
性质：在特定晶向[(100)或(100)偏向最近<110>2 ～5 的晶面]砷化镓衬底上外延生长的单晶薄层材料外延工艺有LPE、VPE、MOCVD、MBE、CBE、ALE等工业选择取决于器件结构等因素，一般LPE、VPE多用于商品化器件，如光探测器、霍尔器件等。MBE、CBE、ALE多用于最子阱超晶格材料。MOCVD两方面兼而有之。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条