1) AlGaAs/GaAs
Al GaAs/GaAs
1.
We design and fabricate a 128×128 AlGaAs/GaAs quantum well infrared photodetector focal plane array (FPA).
报道了128×128 Al GaAs/GaAs量子阱红外焦平面探测器阵列的设计和制作。
2) GaA/GaInNAs
GaAs/GaInNAs
3) LEC SI-GaAs
LECSI-GaAs
4) Ge on GaAs
Ge/GaAs
5) GaAs/GaAlAs/GaAs/Si structure
GaAs/GaAsAl/GaAs/Si结构
6) GaAs crystal
GaAs晶体
1.
To produce polarized electrons , a method based on photoemission from GaAs crystal is used.
自旋极化电子在许多研究领域有着广泛用途,目前国际上普遍采用光电离GaAs晶体产生自旋极化电子。
补充资料：GaAs epitaxial wafer
分子式：
CAS号：
性质：在特定晶向[(100)或(100)偏向最近<110>2 ～5 的晶面]砷化镓衬底上外延生长的单晶薄层材料外延工艺有LPE、VPE、MOCVD、MBE、CBE、ALE等工业选择取决于器件结构等因素，一般LPE、VPE多用于商品化器件，如光探测器、霍尔器件等。MBE、CBE、ALE多用于最子阱超晶格材料。MOCVD两方面兼而有之。
CAS号：
性质：在特定晶向[(100)或(100)偏向最近<110>2 ～5 的晶面]砷化镓衬底上外延生长的单晶薄层材料外延工艺有LPE、VPE、MOCVD、MBE、CBE、ALE等工业选择取决于器件结构等因素，一般LPE、VPE多用于商品化器件，如光探测器、霍尔器件等。MBE、CBE、ALE多用于最子阱超晶格材料。MOCVD两方面兼而有之。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条