1)  GaAs/AlGaAs
GaAs/AlGaAs
1.
The Photoluminescence of GaAs/AlGaAs Superlattice;
GaAs/AlGaAs超晶格的光致发光
2.
320×256 GaAs/AlGaAs quantum well infrared photodetector;
320×256 GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器
3.
Photoluminescence Due to Electron Transition from Excited State to Acceptor of Doped GaAs/AlGaAs Superlattice;
掺杂GaAs/AlGaAs超晶格的激发态向受主中心跃迁的发光
2)  GaAs-AlGaAs
GaAs-AlGaAs
1.
Electron backscatter diffraction analysis of mirco-sized stress in the GaAs-AlGaAs epitaxial structure;
GaAs-AlGaAs外延结构中微区应力的电子背散射衍射分析
3)  GaAs/AlGaAs multiquantum well
AlGaAs/GaAs多量子阱
4)  GaAs/AlGaAs QWIP device
GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器件
1.
This paper describes the design and realization of an automatic mesurement system for characterization of GaAs/AlGaAs QWIP device by computer.
分别用LABVIEW和LABWINDOWS/CVI两种开发平台进行程序编写 ,遥控测量仪器 ,控制微机自动采集和处理数据实时绘制曲线 ,对本项工作自行研制的GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器件进行了基本性能的检测 ,实现器件主要特性—I V曲线的自动测量。
5)  InGaAs-GaAs-AlGaAs semiconductor lasers
InGaAs-GaAs-AlGaAs半导体激光器
6)  novel GaAs/AlGaAs quantum well infrared photodetectors
新型GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器
参考词条
补充资料：GaAs epitaxial wafer
分子式：
CAS号：

性质：在特定晶向[(100)或(100)偏向最近<110>2 ～5 的晶面]砷化镓衬底上外延生长的单晶薄层材料外延工艺有LPE、VPE、MOCVD、MBE、CBE、ALE等工业选择取决于器件结构等因素，一般LPE、VPE多用于商品化器件，如光探测器、霍尔器件等。MBE、CBE、ALE多用于最子阱超晶格材料。MOCVD两方面兼而有之。

说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。