1) GaAs/Si
GaAs/Si
1.
There exist the interfacial mismatch strains and high density structural defects in GaAs heteroepilayers grown on Si (GaAs/Si) because of a large misfit of the lattice constants and a large difference in linear thermal expansion coefficient between GaAs and Si materials.
由于在GaAs和Si单晶材料间有着很大的格子常数及线性热膨胀系数差别，所以在St上生长的GaAs异质外延薄膜（GaAs／Si）中会存在着界面失配形变与高密度的结构缺陷。
2) n-GaAs/SI-GaAs
n-GaAs/SI-GaAs
1.
Raman Spectra Studies of MBE-Grown n-GaAs/SI-GaAs Films;
分子束外延n-GaAs/SI-GaAs薄膜材料的拉曼光谱研究
3) heteroepitaxial GaAs/Si layer
异质外延GaAs/Si薄膜
4) GaAs/GaAlAs/GaAs/Si structure
GaAs/GaAsAl/GaAs/Si结构
补充资料：GaAs epitaxial wafer
分子式：
CAS号：
性质：在特定晶向[(100)或(100)偏向最近<110>2 ～5 的晶面]砷化镓衬底上外延生长的单晶薄层材料外延工艺有LPE、VPE、MOCVD、MBE、CBE、ALE等工业选择取决于器件结构等因素，一般LPE、VPE多用于商品化器件，如光探测器、霍尔器件等。MBE、CBE、ALE多用于最子阱超晶格材料。MOCVD两方面兼而有之。
CAS号：
性质：在特定晶向[(100)或(100)偏向最近<110>2 ～5 的晶面]砷化镓衬底上外延生长的单晶薄层材料外延工艺有LPE、VPE、MOCVD、MBE、CBE、ALE等工业选择取决于器件结构等因素，一般LPE、VPE多用于商品化器件，如光探测器、霍尔器件等。MBE、CBE、ALE多用于最子阱超晶格材料。MOCVD两方面兼而有之。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。