1) SiGe bulk single crystal
SiGe体单晶
2) SiGe heterojunction bipolar transistor
SiGe异质结双极晶体管
1.
<Abstrcat> The base transit time of SiGe heterojunction bipolar transistor(HBT) is calculated and analysed.
对SiGe异质结双极晶体管(HBT)的基区渡越时间进行了计算和分析,考虑了基区掺杂和Ge组分分布对本征载流子浓度和电子迁移率的影响,以及大电流密度下产生的感应基区(CIB)的渡越时间。
3) Si/SiGe HBTs
Si/SiGe异质结双极晶体管
4) SiGe HBT
SiGe异质结双极晶体管
1.
Analysis of the frequency property in SiGe HBT;
SiGe异质结双极晶体管频率特性分析
2.
The total-dose radiation effects and annealing characteristics of a SiGe HBT are studied.
研究了国产SiGe异质结双极晶体管(HBT)60Coγ射线100Gy(Si)~10kGy(Si)总剂量辐照后的辐照效应及辐照后的退火特性。
3.
The merits, characteristics, structure and application of SiGe HBT are introduced.
介绍SiGe异质结双极晶体管HBT的优点、特性、结构、工艺和应用。
6) SiGe heterojunction bipolar transistors (HBTs)
SiGe异质结双极晶体管(HBT)
补充资料:直径6英寸硅单晶及单晶炉
直径6英寸硅单晶及单晶炉
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参考词条