1) Si/SiGe/Si HBT
Si/SiGe/SiHBT
1.
The Study of Si/SiGe/Si HBT and Its Compatibility with Si Process;
与Si工艺兼容的Si/SiGe/SiHBT研究
2.
Based on the researches on Si/SiGe/Si HBT and its compatibility with Si process, one low noise Si/SiGe/Si HBT construction is fabricated.
在对Si/SiGe/SiHBT及其Si兼容工艺的研究基础上 ,研制成功低噪声Si/SiGe/SiHBT ,测试和分析了它的直流特性和低频噪声特性 ,为具有更好的低噪声性能的Si/SiGe/SiHBT的研究建立了基
2) Si/SiGe
SiGe/Si
1.
Temperature Characteristics of Power Si/SiGe/Si HBT s;
功率SiGe/Si HBT的温度特性
2.
Effects of Layout Size on High-Frequency Noise Characteristics of Si/SiGe HBT s;
版图尺寸对SiGe/Si HBT高频噪声特性的影响
3.
Low-Frequency Noise Characteristics of Si/SiGe HBT s;
SiGe/Si HBT低频噪声特性研究
3) SiGe/Si heterojunction
SiGe/Si异质结
1.
The SiGe technology is applied to the performance improvement of power semiconductor devices and the novel structure of SiGe/Si heterojunction p i n switching power diodes is presented.
将SiGe技术应用于功率半导体器件的特性改进 ,提出了新型SiGe/Si异质结p i n开关功率二极管结构 ,在分析器件结构机理的基础上 ,用Medici模拟了该器件的特性并进行了优化设计 。
4) SiGe/Si hetero-junction
SiGe/Si异质结
1.
A novel structure of SiGe/Si hetero-junction switching power diode is proposed in order to improve further the characteristics of SiGe diodes.
为了进一步提高SiGe/Si异质结功率开关二极管的性能,提出了一种SiGe功率开关二极管的新结构,用交替的p+、n+区形成的mosaic结构来代替原常规的n+区,关断时可同时为电子和空穴的抽取提供通道使阴极具有理想欧姆接触。
5) SiGe/Si quantum well
SiGe/Si量子阱
1.
The mechanism of the near-band-gap optical transition in doped SiGe/Si quantum well is investigated, and the model of the near-band-gap optical transition originated from the statistical distribution of the impurities is suggested.
本文研究了SiGe/Si量子阱中近带边光跃迁的产生机制,对由杂质无规分布引起的近带边光跃迁给出了一个物理模型。
6) Strained Si/SiGe MOSFET
应变Si/SiGe MOSFET
补充资料：Al-Si cast aluminium alloy
分子式：
CAS号：
性质：以硅为主要合金元素的铸造铝合金。硅的添加量范围为5％～25％，并添加镁、铜等元素，形成亚共晶型、共晶型或过共晶型合金。含硅量为5％～13％的亚共晶型或共晶型合金是工业生产中应用最广泛的铸造铝合金。良好的铸造工艺性能和气密性是它们的主要特点。含硅量在13％以上的过共晶型合金具有热膨胀系数小、耐磨性好等特点。
CAS号：
性质：以硅为主要合金元素的铸造铝合金。硅的添加量范围为5％～25％，并添加镁、铜等元素，形成亚共晶型、共晶型或过共晶型合金。含硅量为5％～13％的亚共晶型或共晶型合金是工业生产中应用最广泛的铸造铝合金。良好的铸造工艺性能和气密性是它们的主要特点。含硅量在13％以上的过共晶型合金具有热膨胀系数小、耐磨性好等特点。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条