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Si/SiGe量子级联激光器
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SiGe/Si
1.
Temperature Characteristics of Power Si/SiGe/Si HBT s;
功率SiGe/Si HBT的温度特性
2.
Effects of Layout Size on High-Frequency Noise Characteristics of Si/SiGe HBT s;
版图尺寸对SiGe/Si HBT高频噪声特性的影响
3.
Low-Frequency Noise Characteristics of Si/SiGe HBT s;
SiGe/Si HBT低频噪声特性研究
5)  microcrystalline SiGe (μc-SiGe)
微晶SiGe(μc-SiGe)薄膜
6)  SiGe alloy
SiGe合金
1.
Investigation on dislocation density of SiGe alloy grown by MBE;
分子束外延生长SiGe合金中位错密度的研究
2.
This paper presents a Raman method,which is no deconstructed,to measure Ge content and strain in SiGe alloy films and some samples,which is grown by UHV/CVD with different Ge content and thickness,have been tested by above method.
本文提出一种用Raman光谱测量SiGe合金膜中的锗组分及应变的方法 ,方法是非破坏的。
补充资料:PPTC器件选购需考虑六大要素
根据无源器件市场研究机构Paumanok公司一项调查显示,由于在2001年到2003年间全球电路保护器件产量增长有限,因此去年和今年电路保护器件价格将稳中有升,但明年会有轻微下滑。该公司预测,2005年全球电流保护器件市场容量22.9亿美元,而到2008年将下降到21.6亿美元。

尽管市场大势疲软,但聚合物正温度系数(PPTC)热敏电阻却表现抢眼,不但没有下降,反而继续维持稳定的增幅。泰科电子市场总监Adrian Mikolajczak认为,PPTC器件是对电子设备提供电流过载保护的一种既可靠又经济的解决方案,可广泛用于计算机主板、笔记本电脑、充电器以及通信设备中,这种器件目前已有多种尺寸和功率范围的产品面市,用户可以选择最合适的型号满足自身产品安全规范的要求。

据介绍,泰科的PPTC器件是一种可复位电路保护装置,它采用其专有的半晶体聚合物和导电颗粒材料混合制成,在常温下保持较低的电阻值,当温度升高(因电流过大或者周围环境温度上升引起)超过临界温度值时,内部晶体熔化使结构发生改变,造成电阻值急剧上升从而对电路形成阻断,达到电路保护的目的。如果温度回复正常,聚合物重新冷却结晶,导电颗粒再度形成导电通路,电阻又将降到极低的水平。
表题:全球过电流保护器件市场预测


泰科针对通信及网络应用新近推出的体积更为小巧的可复位保险器件TRF600-150,可为电话机、传真机、机顶盒、调制解调器等符合UL 60950和TIA-968-A标准的通信设备提供过电流保护。该器件小外形结构有利于用在体积紧凑的产品中,而且它采用无铅材料设计,可帮助制造商满足RoHS规范。除了提供电力故障保护外,它对雷击电涌也非常有效。当电流达到1A时,在1.4秒内即可实现断路。

下面是选购PPTC器件的六个主要考虑要素:

1. 外形尺寸。为适应终端产品的要求,自复位保险丝供应商针对同一参数产品开发出了多种封装形式的PPTC器件,包括不同规格轴向、径向插装以及表面贴装等形式,用户需要根据组装工艺及设计确定器件的尺寸。

2. 额定电压。PPTC的额定电压应不低于电源电压,同时还要大于失效电压,因为当断路发生时它是电路上电阻最大的部件,整个电路电压都可能施加在它的两端。

3. 额定保持电流(工作温度下)。保持电流是指PPTC在室温下保持不发生断路的最大电流,因为PPTC是一种热敏器件,所以温度升高时保持电流将下降,用户应向供应商索取不同温度下的保持电流数据,并考虑最终使用环境温度带来的影响。
说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。
参考词条