1)  GaAs MESFET
GaAs MESFET
1.
Transient-state thermal model of GaAs MESFET microwave pulsed power amplifier;
GaAs MESFET脉冲微波功率器件瞬态热场模型
2.
Influence of Sidegating Effect on Designing GaAs MESFET Digital IC;
旁栅效应对GaAs MESFET数字IC设计的影响
3.
Monte Carlo Simulation of Electron Transport Properties in the Submicron GaAs MESFET Device;
亚微米尺寸GaAs MESFET器件输运性质的蒙特卡罗模拟
2)  MESFET
MESFET
1.
The Influence of Trapping Effect on Frequency Characteristics in 4H-SiC MESFETs;
陷阱效应对4H-SiC MESFET频率特性的影响
2.
Influence of the Trapping Effect on Temperature Characteristics in 4H-SiC MESFETs;
陷阱效应对4H-SiC MESFET温度特性的影响
3.
Study on Frequency Dispersion Effects of 4H-SiC MESFET Based on Traps;
基于陷阱的4H-SiC MESFET频散效应分析
3)  Microwave GaAs metal-semiconductorfield efect transistor(MESFET). Reliability
微波GaAs金属-半导体场效应管（MESFET）
4)  GaAs
GaAs
1.
Synthesis of nano-sized CeO_2 via alcohol-water method and its polishing performance on GaAs wafer;
纳米CeO_2的醇水法制备及其对GaAs晶片的抛光性能
2.
Ordered SiO_2 Colloidal Crystals Grown on GaAs Substrates;
垂直沉积法在GaAs衬底上制备有序SiO_2胶体晶体
3.
Indentation Induced Dislocations in GaAs Single Crystal;
压痕诱发GaAs单晶中的位错组态
5)  SiC MESFET
SiC MESFET
1.
In accent years, GaN HEMT/SiC MESFETs is a new generation of wide-gap semiconductor device.
GaN HEMT /SiC MESFET是近年来发展起来的新一代宽禁带半导体器件,开展GaN HEMT /SiC MESFET器件测试、建模理论的工作,有助于指导该类器件的研究,降低研制成本,提高效率,加快研究进展。
6)  4H-SiC MESFET
4H-SiC MESFET
1.
An Improved Large Signal Analytical Model for 4H-SiC MESFETs;
一种改进的4H-SiC MESFET大信号解析模型
2.
A New Empirical Large Signal Model of 4H-SiC MESFETs for the Nonlinear Analysis;
一种用于非线性分析的新型4H-SiC MESFET大信号经验模型(英文)
3.
A Study on the Surface Trap Effect on 4H-SiC MESFET s;
4H-SiC MESFET表面陷阱效应研究
参考词条
补充资料：金属-氧化物-半导体场效应管（metal-oxide-semiconductorfieldeffecttransistor,MESFET）
金属-氧化物-半导体场效应管（metal-oxide-semiconductorfieldeffecttransistor,MESFET）

JFET和MESFET两种场效应管工作原理都是利用两个反偏pn结（或肖特基结）控制沟道电流。如不用pn结，而由栅极上的外加电压透过一层绝缘体对沟道电流进行控制，这种结构中栅极与沟道之间是绝缘的，绝缘层可以选用SiO2、Si3N4和Al2O3等，以使用SiO2最为普遍。在p型衬底上扩散两个n 型区，分别是漏极和源极。中间部分是金属-绝缘体-半导体组成的MOS电容结构，绝缘层上的金属电极称为栅极。栅极上不加电压时，源和漏极之间由其周围的结绝缘着，故不通导。当栅极加上电压，栅下氧化层中产生电场，其电力线由栅电极指向半导体表面，外加电压将在半导体表面产生表面感应电荷。随着栅极电压的增加，半导体表面将由耗尽而反型，产生电子积累，从而形成一个感生的n型表面薄层，因为其导电类型与衬底的导电类型相反，故称此表面薄层为反型层。反型层成为连接源、漏极的沟道。改变栅压，可改变沟道中电子密度，从而改变沟道电阻。若衬底是n型半导体，则可构成p型沟道的MOSFET。

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