1) MESFET power amplifying tube
MESFET功放管
1.
This method uses the static IV characteristic curve and S parameter of small signals provided by MESFET power amplifying tube to optimize the I/O matching circuits respectively so as to implement wideband high-power.
介绍了一种用ADS技术来设计宽带微波功放模块的方法,利用MESFET功放管提供的静态IV特性曲线和小信号S参数,分别优化放大器的输入输出匹配电路,以期达到宽频带大输出功率的目的。
2) Mesfet transistor
MESFET晶体管
1.
There are many results about the design of the Mesfet transistor.
关于MESFET晶体管的制作与设计的研究已有许多结果,在研究求解MESFET晶体管方程系统的基础上,运用Wu-Ritt零点分解方法,给出了这类MESFET晶体管方程系统的零点分解。
4) Power amplifier tube
功放管
5) power dissipation in power transistor
功放管管耗
6) RF POWER TRANSISTOR
射频功放管
补充资料：金属-氧化物-半导体场效应管（metal-oxide-semiconductorfieldeffecttransistor,MESFET）
金属-氧化物-半导体场效应管（metal-oxide-semiconductorfieldeffecttransistor,MESFET）
JFET和MESFET两种场效应管工作原理都是利用两个反偏pn结（或肖特基结）控制沟道电流。如不用pn结，而由栅极上的外加电压透过一层绝缘体对沟道电流进行控制，这种结构中栅极与沟道之间是绝缘的，绝缘层可以选用SiO2、Si3N4和Al2O3等，以使用SiO2最为普遍。在p型衬底上扩散两个n 型区，分别是漏极和源极。中间部分是金属-绝缘体-半导体组成的MOS电容结构，绝缘层上的金属电极称为栅极。栅极上不加电压时，源和漏极之间由其周围的结绝缘着，故不通导。当栅极加上电压，栅下氧化层中产生电场，其电力线由栅电极指向半导体表面，外加电压将在半导体表面产生表面感应电荷。随着栅极电压的增加，半导体表面将由耗尽而反型，产生电子积累，从而形成一个感生的n型表面薄层，因为其导电类型与衬底的导电类型相反，故称此表面薄层为反型层。反型层成为连接源、漏极的沟道。改变栅压，可改变沟道中电子密度，从而改变沟道电阻。若衬底是n型半导体，则可构成p型沟道的MOSFET。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条