1) MgB_2/Fe superconducting wire and tape
MgB_2/Fe超导线带材
2) ex-situ MgB_2 /Fe tape
非原位MgB_2/Fe超导带
3) MgB_2 tapes
MgB_2带材
1.
Effect of nanoscale C and SiC doping on the superconducting properties of MgB_2 tapes;
纳米C和SiC掺杂对MgB_2带材超导性能的影响
4) MgB_2 superconductor
MgB_2超导体
1.
The effect of laser radiation on the electronic structure of MgB_2 superconductor;
激光辐照对MgB_2超导体电子结构的影响
2.
An overview of the research on MgB_2 superconductor during the last five years is provided in chapter 1.
2001年超导转变温度高达39K的金属间化合物MgB_2的发现激起了物理学界、材料界和工业界的广泛关注,本论文首先概要地分析了5年来MgB_2超导体的研究进展,认为经过5年的发展,MgB_2超导材料20K的上临界磁场已经超过了处于工业应用前沿的NbTi合金超导体液氦温度下的性能,而阻碍MgB_2在20K温区大规模工业应用的主要原因在于由于缺乏合适的钉扎中心导致临界电流密度J_c随磁场的升高而下降很快。
5) superconducting tapes and wires
超导线带材
1.
Research and progress in MgB_2 superconducting tapes and wires;
介绍了MgB2超导线带材的制备及影响线带材临界电流密度的因素。
6) MgB_2 thin film
MgB_2超导薄膜
1.
Microwave measurements of the MgB_2 thin film;
MgB_2超导薄膜的微波测量
补充资料：扩散法铌三锡超导带材
扩散法铌三锡超导带材
superconductive tape of Nb_(3)Sn by diffusion
伙UOS0nfon一Sonx一Ch00dQO d01C0.扩散法妮三锡超导带材(supereonduetivetape of Nb3Sn by diffusion)A一25型化合物超导材料的一种。1965年秉兹(Benz)等人将妮带表面覆锡后，进行加热的扩散反应，从而在妮基体表面生成妮三锡超导薄层，再外覆铜层而得妮三锡扩散法超导带材。 用扩散法制备妮三锡超导带材的二艺技术经历过不断的发展与改进。最初，钥带在熔融的纯锡熔池中浸渍后进行热处理，这祥生成的妮三锡层凹凸不平，其中存在低临界温度(去)超导相-一NbsnZ、Nbosn:等。后来，把妮带连续通过涂锡区后，接着经过反应区，两区间的温度皆为95。一l000C，就能大盘地连续生产妮二锡超导带材，其Nh3Sn层也较均匀平整。进步的改进是发展了低温快速生成工艺，特别是在700C低温下进行扩散反应，方法是向熔融锡池中加入量为4。%的铜，这使得Nb3Sn的生成速率和单相比百分率提高，该单一的Nb3sn超导相带材的性能得以提高此外，在我国还采用成盘涂锡的妮带进行低温70()〔扩散热处理的独特技术，可大大提高生产率，其扩散生成Nb3Sn层的盘带，用FeCI、腐蚀后，可分开复绕成卷。、 扩散反应生成的妮三锡超导带材，长度可达干米以上，随后进行覆铜。其办法有二:(l)钎焊法将厚度为。.1一。.3mm的无氧铜钎焊在未与锐反应的残存的锡表面上。(2)电镀法。用通常的电镀法在反应带材表面镀上一层致密的铜层。 用扩散法制得的妮三锡超导带材，其转变为零电阻的7几为17一18K，临界电流密度(，大)一般为(1一2.6)又lo5A/emZ(4.ZK，loT)。为了改善扩散法Nb、Sn超导带的J。，在妮基体中添加二氧化错，使Nb3sn层的晶粒生成等轴形，并在Nb3sn晶体内渗进微细的二氧化错粒子，使磁通钉扎力提高，.1。增加(可达 4.5只lo5A/c mZ(4 .ZK，loT)或更高)。有关扩散法妮三锡带材的临界电流密度与外场强的关系曲线列于图中。 扩散法妮三锡超导带材在6。年代后期己能小批量生产，凤绕制成了中、小型高场超导磁体，场强为IOT(4.ZK)。l。疏一习 碱1、幼\\入l 、!、屯、、入l’份…一一到 H厅扩散法N玩Sn超导带材的J一11特性曲线 〔唐先德周农)
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参考词条