1) Pulsed sputtering
脉冲溅射
1.
Application of Pulsed Sputtering Technology in Aluminum Oxide Films Deposition;
脉冲溅射技术在氧化铝薄膜沉积中的应用
3) Pulsed laser deposition
脉冲激光溅射
1.
05+2 x +3 y fluoride films were prepared by pulsed laser deposition (PLD).
脉冲激光溅射法 (PLD) ,作为一种制备高质量薄膜的方法 ,被广泛地用于制备超导、铁电等薄膜。
4) Pulse magnetron sputtering
脉冲磁控溅射
1.
The titania film deposited on cenosphere particles by pulse magnetron sputtering deposition was studied.
采用脉冲磁控溅射方法,开展了在空心微珠表面镀二氧化钛薄膜的研究。
5) pulsed laser deposition
脉冲激光溅射沉积
6) direct current pulse magnetron sputtering(DC-PMS)
直流脉冲磁控溅射(DC-PMS)
补充资料：磁控溅射
分子式：
CAS号：
性质：用一个环形永久磁体在乎板形靶上产生环形磁场，在磁场作用下，电子被约束在一个环状空间内，形成高密度的等离子环。在等离子环内，电子不断地使Ar原子变成Ar离子，Ar离子被加速后打向靶表面，把靶内的原子溅射出来，沉积在基片上形成薄膜。若靶材为导体，溅射电源可用直流或射频电源，如靶材是绝缘体，则必须用射频电源。用多源共溅射加后处理法可制备双面薄膜。将基片放置在靶中心线上，称为正轴溅射，基片放在靶轴线外；称为偏轴溅射。磁控溅射是广泛采用的制膜方法。
CAS号：
性质：用一个环形永久磁体在乎板形靶上产生环形磁场，在磁场作用下，电子被约束在一个环状空间内，形成高密度的等离子环。在等离子环内，电子不断地使Ar原子变成Ar离子，Ar离子被加速后打向靶表面，把靶内的原子溅射出来，沉积在基片上形成薄膜。若靶材为导体，溅射电源可用直流或射频电源，如靶材是绝缘体，则必须用射频电源。用多源共溅射加后处理法可制备双面薄膜。将基片放置在靶中心线上，称为正轴溅射，基片放在靶轴线外；称为偏轴溅射。磁控溅射是广泛采用的制膜方法。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条