1) Plasma enhanced pulsed laser deposition (PE-PLD)
等离子体增强脉冲激光溅射沉积(PE-PLD)
2) jet-RF-PEPLD
喷射RF射频等离子体增强脉冲激光沉积(jet-RF-PEPLD)
3) plasma-enhanced pulsed laser deposition(PE-PLD)
等离子体增强脉冲激光沉积
1.
In this paper,high quality orthorhombic boron nitride((o-BN)) films were prepared on Si(100) substrate by plasma-enhanced pulsed laser deposition(PE-PLD) for the first time.
利用等离子体增强脉冲激光沉积系统在Si(100)基底上沉积出了高质量的o-BN薄膜,利用红外光谱(FTIR)、X射线衍射谱(XRD)和原子力显微镜照片对o-BN薄膜进行了表征。
4) WO_3(V)thin films
脉冲准分子激光沉积(PLD)
5) Pulsed Laser Deposition(PLD)
脉冲激光沉积(PLD)
1.
Porous silicon(PS) samples with different porosities were prepared by electrochemical anodization method,and ZnS films were deposited on PS substrates by pulsed laser deposition(PLD).
用电化学阳极氧化法制备了不同孔隙率的多孔硅(PS)样品,然后用脉冲激光沉积(PLD)法在其表面生长ZnS薄膜,研究ZnS/PS复合体系的结构和发光特性。
6) Pulse laser deposition(PLD)
脉冲激光沉积(PLD)
补充资料：等离子体增强化学气相沉积
等离子体增强化学气相沉积
plasma enhanced chemical vapor deposition
等离子体增强化学气相沉积plasma enhancedChemieal vapor deposition使原料气体在电场中成为等离子体状态，产生化学上非常活泼的激发态分子、原子、离子和原子团等，促进化学反应，在衬底表面上形成薄膜的技术。简称PECVD。它的基本原理是利用等离子体中电子的动能促进化学反应。这一原理在一个世纪前就已被发现，20世纪60年代才开始用于制备薄膜。 在电场的作用下，气体分子成为电离状态，通过正、负电荷之间的激烈作用形成等离子体。在低压容器中，电子由于平均自由程大而得以加速，与中性分子或原子发生碰撞。其中，弹性碰撞使气体温度升高，而非弹性碰撞则使原子和分子激发、离解及电离化，产生化学活性的离子和原子团，促进化学反应。 PECVD淀积主要包括4个过程:①电子与反应气体在等离子体中反应生成离子及自由基;②反应物质从等离子体中输运到衬底表面;③离子、自由基与衬底反应或在其表面吸附;④反应物质或反应产物在衬底上排列成薄膜。后两个过程是决定薄膜质量的主要因素。 PECVD设备主要包括放电系统、抽气系统、反应室及气体导入系统。放电系统用于产生等离子体，一般采用高频电源，频率为50kHz至2.45GHz。高频功率的祸合方式可大致分为电感祸合和电容祸合两类。 PECVD的优点是可在较低温度下成膜，热损失少，从而抑制了与衬底的反应，并可在非耐热衬底上成膜。缺点是衬底表面及薄膜易因高能粒子的轰击而造成损伤，产生缺陷。 PECVD法已广泛应用于制备非晶硅膜、氮化硅、氧化膜等钝化膜‘它也是制备高分子薄膜的重要方法，这时又被称为等离子体聚合法。(章熙康)
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参考词条