1) reactively pulsed laser ablation
反应式脉冲激光溅射沉积
1.
AlN (Aluminum Nitride) polycrystalline films have been deposited by reactively pulsed laser ablation with plasmaassisted at low temperature.
使用等离子体辅助反应式脉冲激光溅射沉积薄膜的方法在Ｓｉ（１１１）和Ｓｉ（１００）基片上已经成功地低温制备出ＡｌＮ多晶膜。
2) reactively pulsed laser sputtering deposition
反应式脉冲激光溅射淀积
1.
The effect of laser energy density,pulsed frequency on the construction and properties of AlN thin films prepared by reactively pulsed laser sputtering deposition was discussed.
就反应式脉冲激光溅射淀积制备氮化铝（ＡｌＮ）薄膜的过程，讨论了激光脉冲能量密度及脉冲频率对所制备薄膜结构性能的影响，并对薄膜的化学稳定性作了比较详细的研究。
3) pulsed laser deposition
脉冲激光溅射沉积
4) reactive pulsed laser deposition
反应脉冲激光沉积
1.
We demonstrated the feasibility of the synthesis of GaN thin films from polycrystalline GaAs using plasmaassisted reactive pulsed laser deposition.
以GaAs 为靶材料,用等离子体辅助反应脉冲激光沉积方法制备GaN 薄膜。
5) Plasma enhanced pulsed laser deposition (PE-PLD)
等离子体增强脉冲激光溅射沉积(PE-PLD)
6) pulsed laser deposition
激光溅射沉积
1.
We prepare GaN thin films growing on n-Si(111)substrates by the method of pulsed laser deposition(PLD).
利用激光溅射沉积工艺室温下在n型Si(111)基片上沉积氮化镓(GaN)薄膜,并用原子力显微镜对其表面形貌进行测量,分析了薄膜生长的动力学过程,发现其表面具有自仿射分形特征。
补充资料：脉冲式反应堆
分子式：
CAS号：
性质：用于产生短持续时间强中子脉冲的反应堆。能在很短时间间隔内达到超临界状态，产生很高的脉冲功率和中子通量密度。可生产短寿命放射性同位素。进行肿瘤治疗、中子照相、活化分析及元件动态性能试验研究。美国通用原子公司设计的Triga堆是一种结构简单、安全可靠、操作方便的脉冲反应堆。它的脉冲通量可高达1016～1017/（cm2·s） ，脉冲次数一般每小时3～18次。
CAS号：
性质：用于产生短持续时间强中子脉冲的反应堆。能在很短时间间隔内达到超临界状态，产生很高的脉冲功率和中子通量密度。可生产短寿命放射性同位素。进行肿瘤治疗、中子照相、活化分析及元件动态性能试验研究。美国通用原子公司设计的Triga堆是一种结构简单、安全可靠、操作方便的脉冲反应堆。它的脉冲通量可高达1016～1017/（cm2·s） ，脉冲次数一般每小时3～18次。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条