1)  silicon etching
硅片刻蚀
1.
The experimental result indicates that the silicon etching velocity gradually increases as the volume of ammonia increases from 0 to a certain volume,and then from that points the silicon etching velocity decreases as the ammonia volume increases.
H2O在HF/HNO3/H2O体系中对硅片刻蚀速度的影响。
2)  Si wafer
硅片
1.
Micro-occur of Si wafer under rotating disk test has been studied.
利用自制旋转圆盘空蚀试验装置,以流动自来水为介质,对磨片、化抛片、抛光片和刻蚀片等4种硅片进行连续8 h试验以及对磨片进行连续14 h跟踪观察试验,研究硅材料的微观破坏过程,并利用扫描电子显微镜、触针式表面形貌仪和原子力显微镜对其表面微观形貌进行分析。
2.
A vacuum clamp equipment used for holding Si wafer is designed in this paper.
设计了一套硅片专用真空夹紧装置,包括夹紧装置和微型无油真空抽气泵。
3.
Microstrip circuits with s parameters on different resistance Si wafers are investigated and created a physics model of five-layer microstrip circuits.
对不同电阻率硅片射频微带电路S参数进行了模拟研究。
3)  silicon wafer
硅片
1.
Progress of multi-wire saw for precision slicing of silicon wafer;
硅片精密切割多线锯研究进展
2.
Evaluation of efficiency for silicon wafer cleaning by image processing;
利用图像处理技术评价硅片表面清洗率
3.
Experimental and theoretical study on laser cleaning Al_2O_3 particle on silicon wafer surface;
激光清洗硅片表面Al_2O_3颗粒的试验和理论分析
4)  silicon chip
硅片
1.
Experimental study of bending silicon chip with long pulse width laser;
长脉宽脉冲激光硅片弯曲成形试验
2.
Experimental Study on Laser Bending of Thin Silicon Chip;
薄硅片材料的激光弯曲试验研究
3.
The silicon chip is a main component of the semiconductor apparatus;there is extensive application in printing the integrated circuit and miniature integrated instrument.
硅片是半导体器材的主要元件,在印刷集成电路及微型集成仪表中有着广泛应用。
5)  silicon
硅片
1.
Study on anisotropic etching of silicon in hydrazine;
肼对硅片的各向异性腐蚀技术研究
6)  wafer
硅片
1.
DJ-801 Wafer Grinding Machine s Control And Realizing Method;
DJ-801硅片倒角机控制系统设计及实现
2.
Discuss for Wafer Automatic Orientating Method and SoftwareControl Principle;
对硅片自动定位方法及软件控制原理的探讨
3.
Developing Trend of Wafer Clean Process;
半导体硅片清洗工艺发展方向
参考词条
补充资料：电化学刻蚀
分子式：
CAS号：

性质：也称电解浸蚀。在一定的电解液中，采用电化学原理选择性地除去某种金属(或半导体)的过程。可外加电压(为电刷镀的逆过程)或不外加电压(化学刻蚀)。影响电化学蚀刻的因素有电场强度和频率、探测器厚度、蚀刻液浓度和径迹倾角等。化学刻蚀法使用较多，例如在印刷电路板的制作中，通过如下反应：Cu→Cu2++2e-(阳极) ；2Fe3++2e-→2Fe2+(阴极)。按预作保护的图样除去绝缘基板上的铜覆盖层。在微电子装置的制作中，对半导体(如硅)选择性地刻蚀是关键步骤。常用的刻蚀剂有CuCl2，FeCl3，H2CrO4，NH4Cl，H2O2-H2SO4等。

说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。