1) etch hole
刻蚀孔
2) etching
刻蚀
1.
The quality study on excimer laser-induced electrochemical etching of silicon;
准分子激光电化学刻蚀硅的刻蚀质量研究
2.
Chemically etching vapor-deposited diamond films by using hydrogen plasma under graphitization effect of iron;
氢等离子体在铁催石墨化作用下对CVD金刚石膜的刻蚀
3.
Etching of a diamond film by oxygen plasma;
氧等离子体对金刚石膜的刻蚀研究
3) etch
刻蚀
1.
Etching of Sapphire with Inductively Coupled Plasma of Cl_2/BCl_3;
Cl_2/BCl_3ICP刻蚀蓝宝石研究
2.
Study of Under Bump Metal and Etch Technology of MCM;
MCM多层金属化及刻蚀技术研究
3.
The Study of FSG Etching in No-stop-layer Dual Damascene Structure;
无中间层双大马士革中FSG刻蚀技术的研究
4) ablation
刻蚀
1.
Etching of ZrO_2 ceramic with UV laser ablation;
紫外激光刻蚀氧化锆陶瓷初步研究
2.
The Study of fabrication of phasegrating with UV laser ablation;
紫外激光刻蚀位相光栅实验初步研究
3.
The influences of the laser wavelengthes, pulse energy and lens focus length on the circuit ablation were investigated, and the optimal parameters were got.
描述了固体倍频紫外激光在 35 5nm和 2 6 6nm ,不同聚焦透镜实验条件下 ,对多层电路板的微刻蚀实验 ,进行了其传热一维模型的理论推导 ,并得到了在实验条件下最佳的理论参数为波长 2 6 6nm ,峰值功率大于 2× 10 6J/s ,聚焦透镜焦距为 2 0 0mm ,为激光修复多层线路板的工业应用提供了一定的实验依
5) wet etching
湿法刻蚀
1.
Research on K9 glass wet etching for MOEMS devices;
应用于MOEMS器件的K9玻璃湿法刻蚀工艺的研究
2.
Study on the deep wet etching of the silicon for MEMS;
MEMS中硅的深度湿法刻蚀研究
3.
With the principles and processes of photolithography,dry etching and wet etching,the fabrication of the head slider were experimented.
首先以一种典型的磁头滑块结构为例,进行了掩模版的设计与制作;然后利用光刻、湿法刻蚀和干法刻蚀的工艺及设备,分别进行了该磁头滑块结构的湿法和干法刻蚀试验,给出了刻蚀参数及所加工的磁头照片;最后利用三维表面形貌仪,分别对湿法刻蚀和干法刻蚀的磁头结构进行了数据分析。
6) dry etching
干法刻蚀
1.
Effect of dry etching on light emission of InAsP/InP SMQWs;
干法刻蚀影响应变量子阱发光的机理研究
2.
Research of dry etching simulator in micromachining;
微加工干法刻蚀工艺模拟工具的研究现状
3.
Research of CCl_2F_2 plasma dry etching InSb-In thin film;
CCl_2F_2等离子体干法刻蚀InSb-In薄膜的研究
参考词条
补充资料：电化学刻蚀
分子式：
CAS号：
性质：也称电解浸蚀。在一定的电解液中，采用电化学原理选择性地除去某种金属(或半导体)的过程。可外加电压(为电刷镀的逆过程)或不外加电压(化学刻蚀)。影响电化学蚀刻的因素有电场强度和频率、探测器厚度、蚀刻液浓度和径迹倾角等。化学刻蚀法使用较多，例如在印刷电路板的制作中，通过如下反应：Cu→Cu2++2e-(阳极) ；2Fe3++2e-→2Fe2+(阴极)。按预作保护的图样除去绝缘基板上的铜覆盖层。在微电子装置的制作中，对半导体(如硅)选择性地刻蚀是关键步骤。常用的刻蚀剂有CuCl2，FeCl3，H2CrO4，NH4Cl，H2O2-H2SO4等。
CAS号：
性质：也称电解浸蚀。在一定的电解液中，采用电化学原理选择性地除去某种金属(或半导体)的过程。可外加电压(为电刷镀的逆过程)或不外加电压(化学刻蚀)。影响电化学蚀刻的因素有电场强度和频率、探测器厚度、蚀刻液浓度和径迹倾角等。化学刻蚀法使用较多，例如在印刷电路板的制作中，通过如下反应：Cu→Cu2++2e-(阳极) ；2Fe3++2e-→2Fe2+(阴极)。按预作保护的图样除去绝缘基板上的铜覆盖层。在微电子装置的制作中，对半导体(如硅)选择性地刻蚀是关键步骤。常用的刻蚀剂有CuCl2，FeCl3，H2CrO4，NH4Cl，H2O2-H2SO4等。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。