2) photo etching
光蚀刻法
3) photo-enhanced wet etching
光增强湿法刻蚀
1.
The surface of n-GaN is fabricated by photo-enhanced wet etching with the etchant of 0.
1 MK2S2O8+KOH和氙灯分别作为刻蚀剂和紫外光源,采用光增强湿法刻蚀转移衬底的垂直结构GaN基LED的n型GaN,对N面有电极和没有电极的芯片的n型GaN层进行刻蚀。
4) potoeching
光刻，光蚀
5) laser ablation
激光刻蚀
1.
A Study on PVP and PVK by Surface Enhanced Raman Spectra and the Preparation of Metal Colloids by Laser Ablation;
聚乙烯吡咯烷酮和聚乙烯咔唑的表面增强拉曼光谱研究及激光刻蚀金属胶体的制备
2.
The influences of laser ablation processes on the solubility and the crystallizability of laser evaporated Al2O3-ZrO2 nanopowders were studied by X-ray diffractometer (XRD), X-ray absorption fine structure (XAFS) spectroscope and high resolution electron microscope (HREM).
利用X射线衍射, X射线吸收精细结构谱和高分辨电镜研究了激光刻蚀工艺对 Al2O3-ZrO2固溶度和结晶度的影响。
3.
The micrometer-scaled channels with different width and depth on the Si surface were prepared by pulse laser ablation.
因此,利用激光刻蚀表面方法可以在一定程度上调控固体表面的润湿性能。
6) photochemical etching
光化蚀刻
1.
With the continuousgrowth of electronic technology, photochemical etching tech-nology has expanded into many new application fields and aproduction scale is formed.
介绍了光化蚀刻的由来和传统工艺流程中五种掩膜的制作方法及四种现代的光化蚀刻法流程及其应用范围。
补充资料：光刻
? ±谜障喔粗朴牖Ц聪嘟岷系募际酰诠ぜ砻嬷迫【堋⑽⑾负透丛颖〔阃夹蔚?化学加工方法。光刻原理虽然在19世纪初就为人们所知，但长期以来由于缺乏优良的光致抗蚀剂而未得到应用。直到20世纪50年代，美国制成高分辨率和优异抗蚀性能的柯达光致抗蚀剂(KPR)之后,光刻技术才迅速发展起来，并开始用在半导体工业方面。光刻是制造高级半导体器件和大规模集成电路的关键工艺之一，并已用于刻划光栅、线纹尺和度盘等的精密线纹。
光刻的基本原理是：利用光致抗蚀剂(或称光刻胶)感光后因光化学反应而形成耐蚀性的特点，将掩模板上的图形刻制到被加工表面上。光刻半导体晶片二氧化硅的主要步骤（见图）是：①涂布光致抗蚀剂；②套准掩模板并曝光：③用显影液溶解未感光的光致抗蚀剂层；④用腐蚀液溶解掉无光致抗蚀剂保护的二氧化硅层；⑤去除已感光的光致抗蚀剂层。
光致抗蚀剂是一种对光敏感的高分子溶液，种类很多，根据光化学反应的特点一般可分为正性和负性两大类。凡用显影液能把感光的部分溶解去除的称为正性光致抗蚀剂；用显影液能把未感光的部分溶解去除的称为负性光致抗蚀剂。
光刻的精度很高，可达微米数量级，为使蚀刻线条清晰、边缘陡直、分辨率小于1微米的超微细图形,可采用远紫外曝光、X射线曝光、电子束扫描曝光,以及等离子体干法蚀刻等新技术。
参考书目
李家植编：《半导体化学原理》，科学出版社，北京，1980。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条