1) Depth etching
深度刻蚀
2) depth
深度
1.
The Depth of a Rectangular Through Slot on the Surface of a Cuboid steel Componet and the Magnetic Leakage Field Caused by the Slot;
方钢表面矩形贯通沟槽的深度与该沟槽引起的漏磁场
2.
On Accurately Acquiring Time-depth Relationship Using VSP Data;
准确求取VSP时间-深度关系的探讨
3) deep second degree
深Ⅱ度
4) depth of fracture
断裂深度
5) magnetic depth mark of cable
深度记号
6) advanced treatment
深度处理
1.
Application of reverse osmosis technology for the advanced treatment of petrochemical waste water;
反渗透深度处理炼化废水的应用研究
2.
Study on coagulation and ozonation in advanced treatment of diosgenin wastewater;
混凝沉淀-臭氧氧化深度处理皂素废水的实验研究
3.
Study on advanced treatment of coking wastewater by iron-carbon micro-electrolysis process;
铁炭微电解深度处理焦化废水的研究
参考词条
补充资料：电化学刻蚀
分子式：
CAS号：
性质：也称电解浸蚀。在一定的电解液中，采用电化学原理选择性地除去某种金属(或半导体)的过程。可外加电压(为电刷镀的逆过程)或不外加电压(化学刻蚀)。影响电化学蚀刻的因素有电场强度和频率、探测器厚度、蚀刻液浓度和径迹倾角等。化学刻蚀法使用较多，例如在印刷电路板的制作中，通过如下反应：Cu→Cu2++2e-(阳极) ；2Fe3++2e-→2Fe2+(阴极)。按预作保护的图样除去绝缘基板上的铜覆盖层。在微电子装置的制作中，对半导体(如硅)选择性地刻蚀是关键步骤。常用的刻蚀剂有CuCl2，FeCl3，H2CrO4，NH4Cl，H2O2-H2SO4等。
CAS号：
性质：也称电解浸蚀。在一定的电解液中，采用电化学原理选择性地除去某种金属(或半导体)的过程。可外加电压(为电刷镀的逆过程)或不外加电压(化学刻蚀)。影响电化学蚀刻的因素有电场强度和频率、探测器厚度、蚀刻液浓度和径迹倾角等。化学刻蚀法使用较多，例如在印刷电路板的制作中，通过如下反应：Cu→Cu2++2e-(阳极) ；2Fe3++2e-→2Fe2+(阴极)。按预作保护的图样除去绝缘基板上的铜覆盖层。在微电子装置的制作中，对半导体(如硅)选择性地刻蚀是关键步骤。常用的刻蚀剂有CuCl2，FeCl3，H2CrO4，NH4Cl，H2O2-H2SO4等。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。