1) etching function
刻蚀函数
2) etching parameter
蚀刻参数
1.
The optimizing methods of main etching parameters, such as etching rate, uniformity and selectivity, were investigated by the orthogonal experiment, and these results can be used for setting main process parameters, adjusting them with a drifting from desired conditions, and optimizing etchings electivity.
阐述了二氧化硅干法蚀刻的原理和主要的蚀刻参数。
3) etching factor
蚀刻系数
4) depicting function
刻划函数
1.
In this paper, a new set-representing method, depicting function method, is presented, and set-operations under the method is discussed.
本文提出了一种新的集合表示方法即刻划函数方法,并且讨论了在该表示方法下的集合运算。
5) ch-pit counting method
蚀刻坑计数法
6) etching
[英]['etʃɪŋ] [美]['ɛtʃɪŋ]
刻蚀
1.
The quality study on excimer laser-induced electrochemical etching of silicon;
准分子激光电化学刻蚀硅的刻蚀质量研究
2.
Chemically etching vapor-deposited diamond films by using hydrogen plasma under graphitization effect of iron;
氢等离子体在铁催石墨化作用下对CVD金刚石膜的刻蚀
3.
Etching of a diamond film by oxygen plasma;
氧等离子体对金刚石膜的刻蚀研究
补充资料：电化学刻蚀
分子式：
CAS号：
性质：也称电解浸蚀。在一定的电解液中，采用电化学原理选择性地除去某种金属(或半导体)的过程。可外加电压(为电刷镀的逆过程)或不外加电压(化学刻蚀)。影响电化学蚀刻的因素有电场强度和频率、探测器厚度、蚀刻液浓度和径迹倾角等。化学刻蚀法使用较多，例如在印刷电路板的制作中，通过如下反应：Cu→Cu2++2e-(阳极) ；2Fe3++2e-→2Fe2+(阴极)。按预作保护的图样除去绝缘基板上的铜覆盖层。在微电子装置的制作中，对半导体(如硅)选择性地刻蚀是关键步骤。常用的刻蚀剂有CuCl2，FeCl3，H2CrO4，NH4Cl，H2O2-H2SO4等。
CAS号：
性质：也称电解浸蚀。在一定的电解液中，采用电化学原理选择性地除去某种金属(或半导体)的过程。可外加电压(为电刷镀的逆过程)或不外加电压(化学刻蚀)。影响电化学蚀刻的因素有电场强度和频率、探测器厚度、蚀刻液浓度和径迹倾角等。化学刻蚀法使用较多，例如在印刷电路板的制作中，通过如下反应：Cu→Cu2++2e-(阳极) ；2Fe3++2e-→2Fe2+(阴极)。按预作保护的图样除去绝缘基板上的铜覆盖层。在微电子装置的制作中，对半导体(如硅)选择性地刻蚀是关键步骤。常用的刻蚀剂有CuCl2，FeCl3，H2CrO4，NH4Cl，H2O2-H2SO4等。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条