1) gallium phosphide single crystal GaP
磷化镓单晶
2) indium gallium phosphide single crystal
磷化镓铟单晶
3) gallium aluminum phosphide single crystal
磷化铝镓单晶
4) gallium arsenic phosphide single crystal
磷砷化镓单晶
5) indium gallium arsenic phosphide single crystal
磷砷化镓铟单晶
6) gallium phosphate single crystal;gallium orthophosphate
磷酸镓单晶
补充资料:磷化镓单晶
分子式:
CAS号:
性质:周期表第Ⅲ,V族元素化合物半导体。共价键结合,有一定的离子键成分。立方晶系闪锌矿型结构。密度4.1297g/cm3。熔点1467℃。为间接带隙半导体,室温禁带宽度为2.26eV,本征载流子浓度2.7×106/m3。少数载流子寿命10-3~10-4μs。采用区熔或直拉法制备单晶。为可见光发光材料。
CAS号:
性质:周期表第Ⅲ,V族元素化合物半导体。共价键结合,有一定的离子键成分。立方晶系闪锌矿型结构。密度4.1297g/cm3。熔点1467℃。为间接带隙半导体,室温禁带宽度为2.26eV,本征载流子浓度2.7×106/m3。少数载流子寿命10-3~10-4μs。采用区熔或直拉法制备单晶。为可见光发光材料。
说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。
参考词条