1) AgGaS2
硫镓银
1.
The thermal analysis kinetics of AgGaS2 crystal was studied by differential scanning calorimetry(DSC).
本文利用差示扫描量热法对硫镓银进行了热分析动力学研究。
2.
Silver gallium sulfide(AgGaS2) is a I -III-VI2 ternary compound semiconductor that Crystallizes in chalcopyrite structure (point group D2d-42m).
硫镓银(AgGaS_2)晶体是典型的Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ_2族化合物半导体，属黄铜矿结构(点群D_(2d)-42m)。
3.
A new etchant which is able to selectively etch(112)faces of AgGaS2 crystals at room temperature was reported.
本文报道了一种能在室温下对硫镓银晶体(112)面进行择优腐蚀的新腐蚀液配方,采用新腐蚀液对改进的Bridgman法生长的AgGaS2晶体进行腐蚀,用扫描电镜对蚀坑进行了观察,得到了清晰的(112)面蚀坑形貌,形状为三角锥形。
2) AgGaS_2
硫镓银
1.
A New Method for Growth of AgGaS_2 Single Crystal;
硫镓银单晶生长新方法探索
2.
Studies of Vessel Explosion Prevention in the Synthesis of AgGaS_2 Polycrystalline;
防止硫镓银多晶合成中容器爆炸的研究
3.
Growth of AgGaS_2 Single Crystals by Descending Crucible Method with a Three-temperature-zone Furnace;
三温区坩埚下降法生长硫镓银晶体
4) AgGaS2 single crystal
硫镓银单晶体
5) silver gallium disulphide crystal
二硫化镓银晶体
补充资料：二硫化镓银晶体
分子式： AgGaS2
CAS号：
性质：周期表第Ⅰ,III,VI族元素化合物半导体。共价键结合,有一定的离子键成分。正方晶系黄铜矿型结构,晶格常数0.575nm。为直接带隙半导体,室温禁带宽度2.70eV。熔点1040℃。采用化学气相沉积、定向凝固等方法制备。为可见光发光材料和非线性光学材料。
CAS号：
性质：周期表第Ⅰ,III,VI族元素化合物半导体。共价键结合,有一定的离子键成分。正方晶系黄铜矿型结构,晶格常数0.575nm。为直接带隙半导体,室温禁带宽度2.70eV。熔点1040℃。采用化学气相沉积、定向凝固等方法制备。为可见光发光材料和非线性光学材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条